[发明专利]一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法有效
申请号: | 201911220627.7 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN110911436B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 李树磊;康昭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 背板 发光二极管 转移 装置 方法 | ||
1.一种发光二极管的转移装置,其特征在于,包括:转移基板,位于所述转移基板之上的多个转移头结构,多个光敏传感器以及多个检测探针;
所述转移头结构在背离所述转移基板的一侧设有所述光敏传感器和两个所述检测探针;
所述转移头结构具有用于容置发光二极管的容置区域,两个所述检测探针分别位于所述容置区域相对的两侧;
所述检测探针,用于在所述转移装置与驱动背板压合后,与所述驱动背板上对应位置处的接触电极电连接,并向所述接触电极提供驱动电压;
所述光敏传感器,用于在所述检测探针向所述接触电极提供驱动电压后,检测对应位置处的所述发光二极管是否发光,并输出光敏检测信号;
所述检测探针在垂直于所述转移基板方向上可伸缩;
所述检测探针包括:相互电连接的弹性导电结构和导电探针;
所述转移头结构在对应所述检测探针的位置处具有凹槽,所述凹槽的侧壁与所述转移基板相垂直;
所述弹性导电结构位于所述凹槽内部;
所述导电探针在靠近所述弹性导电结构的一端具有卡合部;所述卡合部位于所述凹槽内部,且所述卡合部不能穿过所述凹槽的开口,所述导电探针除所述卡合部的部分可穿过所述凹槽的开口。
2.如权利要求1所述的转移装置,其特征在于,所述弹性导电结构,包括:多个弹性导电微球;
多个所述弹性导电微球填充于所述卡合部靠近所述转移基板一侧的凹槽内。
3.如权利要求1所述的转移装置,其特征在于,所述导电探针的材料为铜、铝、银、金中的一种或至少两种组成的合金。
4.一种驱动背板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上的多个接触电极组以及多个导电结构;
所述接触电极组用于与一个发光二极管电连接,所述接触电极组包括两个相对设置的接触电极;
所述接触电极组对应两个相对设置的所述导电结构,且所述接触电极组中的两个所述接触电极位于对应的两个所述导电结构之间;所述导电结构与对应的接触电极相接触;
所述导电结构,用于在转移装置与所述驱动背板压合后,与所述转移装置中的检测探针接触;
所述导电结构与所述转移装置中的所述检测探针的位置相对应。
5.如权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,所述接触电极为弹性导电胶。
6.如权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,所述导电结构的高度低于对应的所述接触电极的高度。
7.一种发光二极管的转移方法,其特征在于,包括:
采用如权利要求1~3任一项所述的转移装置吸附多个发光二极管;
将所述转移装置移至如权利要求4~6任一项所述的驱动背板的上方,且所述转移装置吸附有所述发光二极管的一面与所述驱动背板具有接触电极的一面相对;
将所述转移装置与所述驱动背板进行对位并压合,以使所述转移装置中的检测探针与驱动背板上对应的导电结构接触;
向各所述检测探针施加驱动电压;
根据所述转移装置中的各光敏传感器输出的光敏检测信号,确定各所述发光二极管是否转移成功。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的