[发明专利]一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法有效
申请号: | 201911220627.7 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN110911436B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 李树磊;康昭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 背板 发光二极管 转移 装置 方法 | ||
本发明公开了一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法,其中,发光二极管的转移装置,包括:转移基板,位于转移基板之上的多个转移头结构,多个光敏传感器以及多个检测探针;转移头结构在背离转移基板的一侧设有光敏传感器和两个检测探针;转移头结构具有用于容置发光二极管的容置区域,两个检测探针分别位于容置区域相对的两侧;检测探针,用于在转移装置与驱动背板压合后,与驱动背板上对应位置处的接触电极电连接,并向接触电极提供驱动电压;光敏传感器,用于在检测探针向接触电极提供驱动电压后,检测对应位置处的发光二极管是否发光,并输出光敏检测信号。本发明实施例提供的转移装置,实现了在转移过程中对发光二极管进行检测。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法。
背景技术
微发光二极管(μLED)具备无需背光源、能够自发光的特性,与有机电致发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)相似,但相比于有机电致发光二极管,微发光二极管色彩更容易准确的调试,并且具有结构简易、几乎无光耗、使用寿命非常长、高亮度、低功耗、超高解析度与色彩饱和度等优势。微发光二极管最大的优势都来自于它最大的特点,即微米等级的间距,每一点像素(pixel)都能定址控制及单点驱动发光,因而比起其他显示模式,发光效率最高。
目前,微发光二极管的应用领域非常广泛,横跨穿戴式设备、超大室内显示屏幕外,头戴式显示器、抬头显示器(Head Up Display,HUD)、车尾灯、无线光通讯(Li-Fi)、投影机等多个领域。
然而,由于微发光二极管尺寸极小,需要精细化的操作技术,因此微发光二极管相比常规发光二极管更易损,因而,对微发光二极管转印过程的成功率,关系到整体的显示效果,然而,目前的转移方法还无法在转移过程中对微发光二极管进行检测。
发明内容
本发明实施例提供一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法,用以解决现有技术中存在的无法在转移过程中对微发光二极管进行检测的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种发光二极管的转移装置,包括:转移基板,位于所述转移基板之上的多个转移头结构,多个光敏传感器以及多个检测探针;
所述转移头结构在背离所述转移基板的一侧设有所述光敏传感器和两个所述检测探针;
所述转移头结构具有用于容置发光二极管的容置区域,两个所述检测探针分别位于所述容置区域相对的两侧;
所述检测探针,用于在所述转移装置与驱动背板压合后,与所述驱动背板上对应位置处的接触电极电连接,并向所述接触电极提供驱动电压;
所述光敏传感器,用于在所述检测探针向所述接触电极提供驱动电压后,检测对应位置处的所述发光二极管是否发光,并输出光敏检测信号。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述转移装置中,所述检测探针在垂直于所述转移基板方向上可伸缩。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述转移装置中,所述检测探针,包括:相互电连接的弹性导电结构和导电探针。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述转移装置中,所述转移头结构在对应所述检测探针的位置处具有凹槽;
所述弹性导电结构位于所述凹槽内部;
所述导电探针在靠近所述弹性导电结构的一端具有卡合部;所述卡合部位于所述凹槽内部,且所述卡合部不能穿过所述凹槽的开口,所述导电探针除所述卡合部的部分可穿过所述凹槽的开口。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述转移装置中,所述弹性导电结构,包括:多个弹性导电微球;
多个所述弹性导电微球填充于所述卡合部靠近所述转移基板一侧的凹槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的