[发明专利]电源输入二选一兼容处理电路有效
| 申请号： | 201911222428.X | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112896069B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 刘其泳;彭再武;王坚;罗家运;肖小春;贺晓昉;贺蕾;袁莹莹;罗彦 | 申请（专利权）人： | 中车时代电动汽车股份有限公司 |
| 主分类号： | B60R16/02 | 分类号： | B60R16/02;B60L1/00 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 何湘玲 |
| 地址： | 412007 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电源 输入 二选一 兼容 处理 电路 | ||
1.一种电源输入二选一兼容处理电路，其特征在于，包括：第一电源输入、第二电源输入、开关信号输入以及用于提供给功能电路的电源输出和开关信号输出，所述第一电源输入与所述开关信号输入连接至所述开关信号输出，所述第一电源输入和第二电源输入通过第一MOS管和第二MOS管选通连接至所述电源输出；
所述第一MOS管为P沟道MOS管，所述第二MOS管为N沟道MOS管；所述P沟道MOS管的衬底与源极相连并连接第二电源输入，漏极与第一电源输入相连；所述P沟道MOS管的栅极与N沟道MOS的漏极相连；所述N沟道MOS的衬底与源极相连，栅极与第一电源输入相连。
2.根据权利要求1所述的电源输入二选一兼容处理电路，其特征在于，所述P沟道MOS管的漏极与所述N沟道MOS的栅极之间连接有第一电阻。
3.根据权利要求2所述的电源输入二选一兼容处理电路，其特征在于，所述N沟道MOS的栅极连接第四电阻后接地。
4.根据权利要求1所述的电源输入二选一兼容处理电路，其特征在于，所述N沟道MOS的衬底与源极相连并接地。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电源输入二选一兼容处理电路，其特征在于，所述P沟道MOS管的衬底与源极之间连接有第二电阻。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的电源输入二选一兼容处理电路，其特征在于，所述P沟道MOS管的栅极与N沟道MOS的漏极之间连接有第三电阻。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的电源输入二选一兼容处理电路，其特征在于，所述第一电源输入选通连接至所述电源输出时，所述第一电源输入有电，所述开关信号输入为低电平。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的电源输入二选一兼容处理电路，其特征在于，所述第二电源输入选通连接至所述电源输出时，所述第二电源输入有电，所述开关信号输入为高电平。
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