[发明专利]电源输入二选一兼容处理电路

说明书

本发明公开了一种电源输入二选一兼容处理电路，包括：第一电源输入，第二电源输入，开关信号输入以及用于提供给功能电路的电源输出和开关信号输出，第一电源输入与开关信号输入连接至开关信号输出，第一电源输入和第二电源输入通过第一MOS管和第二MOS管选通连接至电源输出。本发明解决了两路电源输入选通的或门控制逻辑的需求，同时规避了采用功率二极管搭建或门的电路的器件发热问题。

技术领域

本发明涉及新能源汽车的电源输入技术领域，尤其涉及一种电源输入二选一兼容处理电路。

背景技术

随着新能源汽车技术的发展，汽车产品与部件在更新迭代过程中，考虑到通用化与成本等因素，有时需要兼容多款其他产品。部件的统型与通用，在集成电路板上常常需要做一些兼容处理。解决了功能电路兼容二路电源输入的问题，而采用功率二极管进行电源输入开关控制时发热严重。

发明内容

本发明提供了一种电源输入二选一兼容处理电路，用以解决现有功能电路无法兼容二路电源输入的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提出的技术方案为：

一种电源输入二选一兼容处理电路，包括：第一电源输入、第二电源输入、开关信号输入以及用于提供给功能电路的电源输出和开关信号输出，第一电源输入与开关信号输入连接至开关信号输出，第一电源输入和第二电源输入通过第一MOS管和第二MOS管选通连接至电源输出。

优选地，第一MOS管为P沟道MOS管，第二MOS管为N沟道MOS管。

优选地，P沟道MOS管的衬底与源极相连并连接第二电源输入，漏极与第一电源输入相连；P沟道MOS管的栅极与N沟道MOS的漏极相连；N沟道MOS的衬底与源极相连，栅极与第一电源输入相连。

优选地，P沟道MOS管的漏极与N沟道MOS的栅极之间连接有第一电阻。

优选地，N沟道MOS的栅极连接第四电阻后接地；N沟道MOS的衬底与源极相连并接地。

优选地，P沟道MOS管的衬底与源极之间连接有第二电阻。

优选地，P沟道MOS管的栅极与N沟道MOS的漏极之间连接有第三电阻。

优选地，第一电源输入选通连接至电源输出时，第一电源输入有电，开关信号输入为低电平。

优选地，第二电源输入选通连接至电源输出时，第二电源输入有电，开关信号输入为高电平。

本发明具有以下有益效果：

本发明的电源输入二选一兼容处理电路，通过两路MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET，金氧半场效晶体管，又名绝缘栅型场效应管)实现电源+Vin1(第一电源输入)与电源+Vin2(第二电源输入)二选一作为功能电路的供电电源，长时间使用不会产生发热问题。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照附图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是本发明优选实施例的电源输入二选一兼容处理电路的电路结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。