[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；

在所述基底上形成底部核心材料层；

在所述第一区域的所述底部核心材料层上形成分立的第一核心层，且在所述第二区域的所述底部核心材料层上形成与第一核心层分立的抗刻蚀层，所述抗刻蚀层的耐刻蚀度大于所述第一核心层的耐刻蚀度；

在所述第一核心层的侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙还形成在所述抗刻蚀层的侧壁；

形成所述第一侧墙之后，去除所述第一核心层；

去除所述第一核心层之后，在所述第一侧墙的侧壁形成第二侧墙，所述第一侧墙和位于所述第一侧墙侧壁的第二侧墙构成主侧墙结构层，所述主侧墙结构层还位于第二区域上；

形成所述第二侧墙后，图形化所述底部核心材料层之前，去除所述抗刻蚀层；

以所述主侧墙结构层为掩膜，图形化所述底部核心材料层，以形成第二核心层；

形成所述第二核心层之后，去除所述主侧墙结构层；

去除所述主侧墙结构层之后，在所述第二核心层的侧壁形成第三侧墙；

形成所述第三侧墙之后，去除所述第二核心层；

去除所述第二核心层之后，以所述第三侧墙为掩膜，图形化所述基底，形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域包括第一子区域，第一子区域包括第一子核心区和位于相邻第一子核心区之间的第一子间隔区，第一子核心区用于定义第一子核心区上第一核心层的位置；

形成所述第一侧墙的步骤中，形成于第一子区域的第一核心层侧壁的所述第一侧墙之间相互分立；

形成所述第二侧墙的步骤中，形成于第一子核心区上的第二侧墙之间相互分立，形成于同一第一子间隔区上的第二侧墙相接触。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一子区域上的主侧墙结构层分别为第一类侧墙结构层和第二类侧墙结构层，第一类侧墙结构层和第二类侧墙结构层之间相互分立；

任一个第一类侧墙结构层包括一个第一侧墙以及位于第一侧墙两侧侧壁表面的第二侧墙；

任一个第二类侧墙结构层包括相邻的两个第一侧墙、以及位于分别位于每个第一侧墙的两侧侧壁表面的第二侧墙，相邻第一侧墙之间的第二侧墙对应为第一子间隔区上的第二侧墙。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域包括第二子区域；在形成第一核心层的过程中，若干个第一核心层还形成在第二子区域上；形成所述第一侧墙的步骤中，形成于第二子区域上相邻第一核心层之间且位于第一核心层侧壁表面的所述第一侧墙相接触；

第二子区域上的主侧墙结构层为第四类侧墙结构层，任一个第四类侧墙结构层包括第二侧墙和相接触的两个第一侧墙，第二侧墙分别位于相接触的两个第一侧墙整体的两侧侧壁表面。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区域包括第三子区域；在形成抗刻蚀层的过程中，抗刻蚀层形成在第三子区域上；

形成所述第一侧墙的步骤中，形成于第三子区域所述抗刻蚀层侧壁的第一侧墙之间相互分立；

形成所述第二侧墙的步骤中，形成于第三子区域所述第一侧墙侧壁的第二侧墙之间相互分立；

第三子区域上的主侧墙结构层为第三类侧墙结构层，任一个第三类侧墙结构层包括一个第一侧墙与位于第一侧墙一侧侧壁表面的第二侧墙。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区域包括第四子区域，第四子区域包括第四子抗刻蚀区和位于相邻第四子抗刻蚀区之间的第四子间隔区，第四子抗刻蚀区用于定义第四子抗刻蚀区上抗刻蚀层的位置；形成所述第一侧墙的步骤中，形成于第四子区域上相邻抗刻蚀层之间且位于所述抗刻蚀层侧壁表面的所述第一侧墙相接触；

在形成主侧墙结构层的过程中，还在第四子区域上形成附加侧墙结构层，任一个附加侧墙结构层包括位于第四子间隔区上相接触的第一侧墙；

以所述主侧墙结构层和附加侧墙结构层为掩膜，图形化底部核心材料层以形成第二核心层；

形成第二核心层之后，在形成第三侧墙之前，还包括：去除附加侧墙结构层。