[发明专利]封装结构

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

基板；

电子元件层，设置在所述基板上；以及

封装层，设置在所述基板上且覆盖所述电子元件层，所述封装层包括有机聚合物层，且所述有机聚合物层直接接触所述电子元件层；

其中，所述有机聚合物层的氟含量大于55％且小于85％。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机聚合物层包括石墨烯材料。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述石墨烯材料为单层结构或双层结构。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述石墨烯材料在所述有机聚合物中的含量大于1％且小于10％。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机聚合物层的分子量范围为从150000到300000。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机聚合物层包括可聚合成聚甲基丙烯酸甲酯的化合物。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述有机聚合物层包括丙烯酸酯或其衍生物、丙烯酸甲酯或其衍生物、或甲基丙烯酸甲酯或其衍生物的其中至少两种。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机聚合物层包括醚类结构。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括像素定义层，设置在所述基板上，其中所述像素定义层具有开口，所述电子元件层设置在所述像素定义层的所述开口内，且所述封装层同时覆盖并接触所述像素定义层与所述电子元件层。

10.一种形成封装结构的方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成电子元件层；

直接在所述电子元件层表面形成寡聚物层；以及

对所述寡聚物层提供能量，以使所述寡聚物层发生聚合以形成有机聚合物层；

其中，所述有机聚合物层的氟含量大于55％且小于85％。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，对所述寡聚物层提供能量的方法包括将所述寡聚物层加热至60℃到120℃。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，对所述寡聚物层提供能量的方法可包括对所述寡聚物层照射波长范围为从300纳米到500纳米的光线，其中对所述寡聚物层所施加的功率的范围为0.1毫瓦/平方公分到100毫瓦/平方公分。

13.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述有机聚合物层包括石墨烯材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述石墨烯材料为单层结构或双层结构。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述石墨烯材料在所述有机聚合物中的含量大于1％且小于10％。

16.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述有机聚合物层的分子量范围为从150000到300000。

17.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述寡聚物层包括可聚合成聚甲基丙烯酸甲酯的化合物。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述寡聚物层包括丙烯酸酯或其衍生物、丙烯酸甲酯或其衍生物、或甲基丙烯酸甲酯或其衍生物的其中至少两种。