[发明专利]缺陷确定方法、装置及系统有效
申请号: | 201911226014.4 | 申请日: | 2019-12-04 |
公开(公告)号: | CN110927170B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 邓青华;黄进;王凤蕊;周小燕;石兆华;叶鑫;夏汉定;吴之青;邵婷;孙来喜;李青芝;黎维华 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 李娇 |
地址: | 621000*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 确定 方法 装置 系统 | ||
本发明提供了一种缺陷确定方法、装置以及系统,通过先确定待测元件表面是否存在参考缺陷点,若存在,则对所确定的参考缺陷点进行预设激光辐照处理,将预设激光辐照处理过程中荧光信号强度的降低量低于第一预设值且散射光信号强度的降低量低于第二预设值的参考缺陷点确定为待测元件表面的目标缺陷点,目标缺陷点即为元件表面低损伤阈值缺陷,有效地实现了对元件表面低损伤阈值缺陷的定位,有利于去除元件表面低损伤阈值缺陷,提高元件的激光损伤性能。
技术领域
本发明涉及光学检测技术领域,具体而言,涉及一种缺陷确定方法、装置及系统。
背景技术
光学晶体(optical crystal)是指用作光学介质材料的晶体材料,主要用于制作紫外和红外区域窗口、透镜和棱镜等光学元件。例如,大口径磷酸二氢钾晶体(PotassiumDihydrogen Phosphate,KH2PO4,简称KDP)因具备独特的光学性能而被用来制作光电开关和倍频元件,应用于大型高功率/高能量激光装置如激光核聚变装置中。为了获得最大输出,大型高功率/高能量激光装置都在接近于光学元件损伤阈值的通量下运行,因此光学元件损伤性能尤其重要,是决定这类激光装置输出能力的关键。
晶体表面加工微缺陷如杂质、裂痕或划痕等均是影响晶体光学元件激光损伤性能的重要因素。但是现有技术大多是从缺陷类型层面以及各种精密测试手段层面如原子力显微镜、能谱仪对各类缺陷进行表征研究,无法实现对光学系统中实际应用的光学元件表面缺陷的定位。
发明内容
鉴于此,本发明的目的在于提供一种缺陷确定方法、装置及系统,能够有效地实现对光学元件表面低损伤阈值缺陷的定位。
第一方面,本发明实施例提供了一种缺陷确定方法,包括:获取待测元件表面的荧光图像以及散射光图像;根据所述荧光图像和所述散射光图像,确定所述待测元件表面是否存在参考缺陷点,其中,所述参考缺陷点为有荧光信号且有散射光信号的缺陷点;若存在所述参考缺陷点,则针对每个参考缺陷点,判断在对该参考缺陷点进行预设激光辐照处理的过程中,该参考缺陷点的荧光信号强度的降低量是否低于第一预设值且散射光信号强度的降低量是否低于第二预设值,若是,则将该参考缺陷点确定为所述待测元件表面的目标缺陷点。其中,所述预设激光辐照处理包括依次按照预设激光通量序列中每个激光通量对该参考缺陷点进行辐照,且所述激光通量序列中的最大激光通量值低于预设激光通量阈值。
第二方面,本发明实施例提供了一种缺陷确定装置,包括:获取模块,用于获取待测元件表面的荧光图像以及散射光图像;参考缺陷确定模块,用于根据所述荧光图像和所述散射光图像,确定所述待测元件表面是否存在参考缺陷点,其中,所述参考缺陷点为有荧光信号且有散射光信号的缺陷点;目标缺陷确定模块,用于若存在所述参考缺陷点,则针对每个参考缺陷点,对该参考缺陷点进行预设激光辐照处理,若在所述预设激光辐照处理的过程中,该参考缺陷点的荧光信号强度的降低量低于第一预设值且散射光信号强度的降低量低于第二预设值,则将参考缺陷点确定为所述待测元件表面的目标缺陷点。其中,所述预设激光辐照处理包括依次按照预设激光通量序列中每个激光通量对该参考缺陷点进行辐照,且所述激光通量序列中的最大激光通量值低于预设激光通量阈值。
第三方面,本发明实施例提供了一种缺陷确定方法,所述方法包括:
将第一激光输出装置输出的第一激光、第二激光输出装置输出第二激光以及第三激光输出装置输出的第三激光在待测元件表面的光斑调试重合,并执行图像采集步骤;
其中,所述图像采集步骤包括:通过所述第一激光输出装置输出第一激光照射到所述待测元件表面,以使得所述待测元件表面缺陷在所述第一激光的激发下产生的荧光信号在成像装置上成像,并将得到的荧光图像发送给数据处理装置;以及通过所述第二激光输出装置输出第二激光照射到所述待测元件表面,以使得所述待测元件表面缺陷形成的散射光信号在成像装置上成像,并将得到的散射光图像发送给所述数据处理装置;
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