[发明专利]加热装置及温度控制喷淋组件

说明书

本发明公开了一种加热装置，用于一电浆处理半导体制造装置。该加热装置包含：至少一加热导线，延伸于一射频讯号的涵盖范围中；一电源供应器，提供一电力讯号至该至少一加热导线；及一温度控制器，至少基于一默认温度控制该电源供应器。该至少一加热导线由至少一屏蔽组件包覆，用以屏蔽该射频讯号，避免该射频讯号电耦合至该至少一加热导线、该电源供应器和该温度控制器中。

技术领域

本发明是关于一种加热装置，尤其是用于电浆处理的半导体制造装置的加热装置，像是安装在喷淋头或基板支撑座中的加热装置。

背景技术

在半导体制造技术中，已知提高反应物质或环境的温度可得到较理想的沉积薄膜形貌，尤其当所述温度提高至200℃对于物质的反应是有帮助的。已知的有使用于喷淋头中的油温加热器，但受到油的特性限制，这种加热器无法提高至200℃以上，无法满足工艺的需求。

已有采用电加热器来解决油温加热器的缺失，但针对特定的处理，电加热器的表现仍有顾虑。在专用于电浆处理的半导体制造装置中，产生的一射频讯号会涵盖配置在装置中的电加热器，例如安装在喷淋头或基板支撑的电加热器，使射频讯号电耦合至电加热器的电气回路中，从而使电气回路失效或对其造成干扰。对此，已知的解决手段是在电加热器的电气回路中并入可抑制射频讯号的滤波器，但这样无疑会增加制造上的成本，并且需要额外的安装和维护空间。

因此，有必要发展出针对电浆处理且不需使用滤波器的电加热器，且适于应用在喷淋头、基板支撑座(即加热盘)或其他射频讯号可能涵盖的部分。

发明内容

本发明目的在于提供一种温度控制喷淋组件，具有一气体入口部及一气体分配部。所述温度控制喷淋组件包含至少一加热导线，其延伸于该气体入口部和该气体分配部中，且该至少一加热导线与该气体入口部和该气体分配部之间提供有至少一屏蔽组件，用以屏蔽自该气体入口部传递至该气体分配部的一射频讯号，避免该射频讯号电耦合至该至少一加热导线中。

在一具体实施例中，至少一通道延伸于该气体入口部和该气体分配部，该至少一加热导线延伸于该至少一通道中，该至少一屏壁组件容置于该至少一通道中且包覆该至少一加热导线。

在一具体实施例中，该至少一屏蔽组件具有包覆该至少一加热导线的一第一屏壁部，及包覆该第一屏壁部的一第二屏壁部。

在一具体实施例中，该第一屏蔽部由一第一金属层和一第一耐热层组成，该第二屏蔽部由一第二金属层和一第二耐热层组成。

在一具体实施例中，该至少一屏蔽组件的至少一部分接地。

在一具体实施例中，该至少一屏蔽组件的一外围提供有一导热层，将该至少一加热导线产生的热传递至该气体入口部及/或该气体分配部。

本发明还提供一种加热装置，用于一电浆处理半导体制造装置。该加热装置包含：至少一加热导线，延伸于一射频讯号的涵盖范围中；一电源供应器，提供一电力讯号至该至少一加热导线；及一温度控制器，至少基于一默认温度控制该电源供应器。其中，该至少一加热导线由至少一屏蔽组件包覆，用以屏蔽该射频讯号，避免该射频讯号电耦合至该至少一加热导线、该电源供应器和该温度控制器中。

在一具体实施例中，该至少一加热导线延伸于一喷淋组件或一基板支撑座中。

在一具体实施例中，该至少一屏蔽组件具有包覆该至少一加热导线的一第一屏壁部，及包覆该第一屏壁部的一第二屏壁部。

在一具体实施例中，该第一屏蔽部由一第一金属层和一第一耐热层组成，该第二屏蔽部由一第二金属层和一第二耐热层组成。

附图说明

参考下列实施方式描述及附图，将会更清楚了解到本发明的前述和其他特色及优点。

图1显示在本发明提供的一实施例中，喷淋组件及其连接部件的一剖面图。

图2显示图1喷淋组件的一顶部。