[发明专利]使用自下而上氧化途径的具有削减沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

衬底上方的纳米线竖直布置，所述纳米线竖直布置具有在一个或多个氧化纳米线上方的一个或多个有源纳米线；

栅极堆叠，所述栅极堆叠在所述纳米线竖直布置之上，并环绕所述一个或多个氧化纳米线。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中所述一个或多个氧化纳米线在其上具有氧化催化剂层。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，其中所述氧化催化剂层包括氧化铝。

4.如权利要求1、2或3所述的集成电路结构，进一步包括：

在所述纳米线竖直布置末端的外延源极或漏极结构。

5.如权利要求4所述的集成电路结构，其中所述外延源极或漏极结构是离散的外延源极或漏极结构。

6.如权利要求4所述的集成电路结构，其中所述外延源极或漏极结构是非离散外延源极或漏极结构。

7.如权利要求4所述的集成电路结构，其中所述栅极堆叠具有介电侧壁间隔物，并且所述外延源极或漏极结构是在所述栅极堆叠的所述介电侧壁间隔物下延伸的嵌入式外延源极或漏极结构。

8.如权利要求4所述的集成电路结构，进一步包括：

耦合到所述外延源极或漏极结构的一对导电接触点结构。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，其中所述一对导电接触点结构是非对称的一对导电接触点结构。

10.如权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中所述纳米线竖直布置在鳍之上。

11.如权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中所述栅极堆叠包括高k栅极介电层和金属栅极电极。

12.一种集成电路结构，包括：

在衬底上方的纳米线第一竖直布置和纳米线第二竖直布置，所述纳米线第一竖直布置具有比所述纳米线第二竖直布置更大数量的有源纳米线，所述纳米线第一和第二竖直布置具有共面的最上部纳米线和共面的最底部纳米线，并且所述纳米线第二竖直布置具有氧化的最底部纳米线；

在所述纳米线第一竖直布置之上的第一栅极堆叠；以及

第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠在所述纳米线第二竖直布置之上，并环绕所述氧化的最底部纳米线。

13.如权利要求12所述的集成电路结构，其中所述纳米线第一竖直布置的纳米线具有与所述纳米线第二竖直布置的纳米线的水平宽度相同的水平宽度。

14.如权利要求12所述的集成电路结构，其中所述纳米线第一竖直布置的纳米线具有大于所述纳米线第二竖直布置的纳米线的水平宽度的水平宽度。

15.如权利要求12所述的集成电路结构，其中所述纳米线第一竖直布置的纳米线具有小于所述纳米线第二竖直布置的纳米线的水平宽度的水平宽度。

16. 如权利要求12、13、14或15所述的集成电路结构，进一步包括：

在所述纳米线第一竖直布置末端的第一外延源极或漏极结构；以及

在所述纳米线第二竖直布置末端的第二外延源极或漏极结构。

17.如权利要求16所述的集成电路结构，其中所述第一和第二外延源极或漏极结构是离散的第一和第二外延源极或漏极结构。

18.如权利要求16所述的集成电路结构，其中所述第一和第二外延源极或漏极结构是非离散第一和第二外延源极或漏极结构。