[发明专利]一种碳化硅高压MOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅高压MOS器件，其特征在于，自下而上依次包括：

漏极金属；

N+型碳化硅衬底；

第一外延层3，该外延层为生长在所述N+型碳化硅衬底上表面的N-外延层，该外延层包括水平方向上平行间隔排列的至少六个P-区，所述P-区由所述第一外延层上表面向下刻蚀生成并包括第一离子；

第二外延层，该外延层为生长在所述第一外延层的上表面的P-外延层，所述第二外延层上表面水平方向上左右两端相对外侧设置有N+区，所述N+区由所述第二外延层上表面向下刻蚀生成并包括有第二离子；所述第二外延层上表面中央位置设置有P+区，所述P+区由所述第二外延层上表面向下刻蚀生成包括第三离子；

源极金属，所述源极金属设置在所述第二外延层上表面中心区域，所述源极金属与所述N+区和所述P+区接触；

所述器件还包括设置在所述第二外延层上表面的左右两端的所述N+区外侧的槽，所述槽贯穿于所述P-外延层并延伸至所述N-外延层但不与所述N+型碳化硅衬底接触；所述槽内壁以及外表面设有栅氧化层，所述槽内设有栅极低阻淀积物；所述槽顶端自下而上依次设有栅氧化层、栅极低阻淀积物、栅极金属。

2.如权利要求1所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述碳化硅衬底所用碳化硅单晶体材料可以是2H-SiC单晶体、4H-SiC单晶体、6H-SiC单晶体或者3C-SiC单晶体的其中一种，其电阻率为0.0005-0.002Ω*CM。

3.如权利要求1所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述N-外延层的电阻率80-200Ω*CM，该外延层掺杂元素为氮原子。

4.如权利要求1所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述第一离子为铝离子或硼离子。

5.如权利要求1所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述P-外延层的电阻率为60-150Ω*CM，该外延层的厚度为5-10μm。

6.如权利要求1所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述第二离子为氮离子或磷离子；所述第三元素为铝离子或硼离子。

7.如权利要求1所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述栅氧化层厚度为所述低阻多晶硅的淀积厚度为其电阻率为0.002-0.05Ω*CM。

8.如权利要求1所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述源极金属、栅极金属为铝、镍、银或多层结构金属构成。

9.如权利要求8所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述多层结构金属的结构包括：底层：厚度为的钛；中间层：厚度为的氧化钛；顶层：厚度是1-5μm的铝或银。

10.如权利要求1所述的碳化硅高压MOS器件，其特征在于，所述栅极低阻淀积物为低阻多晶硅、金属钨、金属钛、氧化钛。