[发明专利]一种晶体的斜度切割方法及定位夹具

权利要求书

1.一种晶体的斜度切割方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将晶体（2）用粘接剂粘接在载片（1）上；

S2、用划片机将载片（1）上的晶体（2）切割成晶体条；

S3、将装有晶体条的载片（1）放置在可对载片（1）进行定位的定位夹具上，且定位夹具的上表面为斜面以使载片（1）相对于划片机加工台面具有倾斜角度，载片（1）放置在定位夹具上后，使用高度计测量晶体条相对于划片机加工台面的最低点高度，以该最低点高度的晶体条为S4中划片机的起始加工位置；所述最低点高度的确定方法包括：选取所述载片（1）上表面的一条直线为直线A，直线A与晶体条高度最低处的侧边重合，使用高度计测量直线A的至少两点位置处的高度，其中高度值最小的点即为最低点高度；

S4、用划片机将载片（1）上的晶体条切割成具有斜度的晶粒；

所述定位夹具包括：

放置体（4），所述放置体（4）的上表面为斜面，且上表面粘接有晶体（2）的载片（1）放置在放置体（4）的上表面上；

限位机构（3），所述限位机构（3）用于对载片（1）的侧面进行限位以使载片（1）可固定在放置体（4）上；

所述限位机构（3）包括开设在所述放置体（4）上表面的凹槽（31）、设置在放置体（4）侧面的挡块（32）以及用于连接挡块（32）和放置体（4）的螺纹件（33），所述凹槽（31）靠近挡块（32）的端部贯通至放置体（4）的边缘侧以使卡入到凹槽（31）的载片（1）的一侧边可漏出。

2.根据权利要求1所述的晶体的斜度切割方法，其特征在于，所述S1中的粘接剂为UV胶粘剂。

3.根据权利要求2所述的晶体的斜度切割方法，其特征在于，所述S1中将晶体（2）用UV胶粘剂粘接在载片（1）上后，使晶体（2）的至少一侧边与载片（1）的至少一侧边平行以实现对晶体（2）的定位，然后用UV灯照射固化，照射时间为8-10秒。

4.根据权利要求1所述的晶体的斜度切割方法，其特征在于，所述S4中以最低点高度的晶体条为划片机的起始加工位置，以最高点高度的晶体条为划片机的终点加工位置，划片机从起始加工位置到终点加工位置向下进行切割时采用高度补偿值进行切割。

5.根据权利要求4所述的晶体的斜度切割方法，其特征在于，所述高度补偿值为所述定位夹具的斜面对应的垂直方向的高度差值。

6.根据权利要求1-5任一项所述的晶体的斜度切割方法，其特征在于，所述S4中用划片机对载片（1）上的晶体条进行切割时先切割一刀后停止，观察晶体条是否被切透，若晶体条没有被切透则调整划片机的切割深度值，若晶体条被切透则将载片（1）取下在显微镜下观察切口有无变形、崩边情况，无变形、崩边情况则将载片（1）重新装夹至定位夹具上并继续用划片机进行切割。