[发明专利]一种晶体的斜度切割方法及定位夹具

说明书

本发明公开了一种晶体的斜度切割方法及定位夹具，涉及晶体切割技术领域，该斜度切割方法包括以下步骤：将晶体用粘接剂粘接在载片上；用划片机将载片上的晶体切割成晶体条；将装有晶体条的载片放置在可对载片进行定位的定位夹具上，且定位夹具的上表面为斜面以使载片相对于划片机加工台面具有倾斜角度；用划片机将载片上的晶体条切割成具有斜度的晶粒；由于不需要将晶体材料粘接两次，操作步骤更加简单，提高了晶体斜度切割的生产效率；由于刀具在切割若干晶体条时，同一切割平面处的材料是相同的，保证了同一切割平面处的硬度相同，降低了刀具的使用要求降低了晶体斜度切割的生产成本，降低了晶体变形、崩边等情况，提高了切割合格率。

技术领域

本发明涉及晶体切割技术领域，具体是一种晶体的斜度切割方法及定位夹具。

背景技术

近年来，随着光通讯技术的不断发展，特别是5G技术商业应用以来，对模块的要求也越来越高，自由空间隔离器作为模块的技术保障，对其要求也不断提高，因此芯片的斜度切割问题也被提上日程。

现有的晶体斜度切割方法是将晶体切割成条后，然后将晶体条翻转90°并倾斜摆放设置，进而再进行切割而实现的。由于需要对晶体材料粘接两次，操作步骤较为繁琐，限制了晶体斜度切割的生产效率，而且晶体一般是由三层材质组成的，晶体翻转后由于每层材料硬度不一，使用同一刀具同时对硬度不一的材料进行切割，则对刀具的要求很高，增加了生产成本，并且也很容易使晶体的切割部位产生变形、崩边等情况，从而造成切割效率慢、切割合格率低、切割费用大的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶体的斜度切割方法，以解决现有技术中晶体斜度切割方法切割效率慢、切割合格率低、切割费用大的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种晶体的斜度切割方法，包括以下步骤：

S1、将晶体用粘接剂粘接在载片上；

S2、用划片机将载片上的晶体切割成晶体条；

S3、将装有晶体条的载片放置在可对载片进行定位的定位夹具上，且定位夹具的上表面为斜面以使载片相对于划片机加工台面具有倾斜角度；

S4、用划片机将载片上的晶体条切割成具有斜度的晶粒。

作为本发明进一步的方案：所述S1中的粘接剂为UV胶粘剂。

作为本发明进一步的方案：所述S1中将晶体用UV胶粘剂粘接在载片上后，使晶体的至少一侧边与载片的至少一侧边平行以实现对晶体的定位，然后用UV灯照射固化，照射时间为8-10秒。

作为本发明进一步的方案：所述S3中载片放置在定位夹具上后，使用高度计测量晶体条相对于划片机加工台面的最低点高度，以该最低点高度的晶体条为S4中划片机的起始加工位置。

作为本发明进一步的方案：所述最低点高度的确定方法包括：选取所述载片上表面的一条直线为直线A，直线A与晶体条高度最低处的侧边重合，使用高度计测量直线A的至少两点位置处的高度，其中高度值最小的点即为最低点高度。

作为本发明进一步的方案：所述S4中以最低点高度的晶体条为划片机的起始加工位置，以最高点高度的晶体条为划片机的终点加工位置，划片机从起始加工位置到终点加工位置向下进行切割时采用高度补偿值进行切割。

作为本发明进一步的方案：所述高度补偿值为所述定位夹具的斜面对应的垂直方向的高度差值。

作为本发明进一步的方案：所述S4中用划片机对载片上的晶体条进行切割时先切割一刀后停止，观察晶体条是否被切透，若晶体条没有被切透则调整划片机的切割深度值，若晶体条被切透则将载片取下在显微镜下观察切口有无变形、崩边情况，无变形、崩边情况则将载片重新装夹至定位夹具上并继续用划片机进行切割。