[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911228740.X | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111341833A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 尹炅一;吴容哲 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 李艳霞;唐芳芳 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：
提供基板；
形成闸极结构在所述基板的顶表面上；
形成第一掺杂区及第二掺杂区在所述基板中，其中所述闸极结构设置在所述第一掺杂区及所述第二掺杂区之间；
提供掩模在所述闸极结构及所述第二掺杂区上方；以及
形成第三掺杂区在所述第一掺杂区的底部，并延伸远离所述第一掺杂区的底面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：
形成第一间隔及第二间隔在所述闸极结构的相应侧壁上；以及
形成第一轻掺杂区及第二轻掺杂区在所述基板中；
其中所述第一轻掺杂区的宽度小于所述第二轻掺杂区的宽度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中，所述第一轻掺杂区的所述宽度大于所述第一掺杂区的宽度；以及所述第二轻掺杂区的所述宽度大于所述第二掺杂区的宽度。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中，所述第一间隔的宽度小于所述第二间隔的宽度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述第一掺杂区的宽度大于所述第三掺杂区的所述宽度。
6.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：
提供基板；
形成闸极结构在所述基板的顶表面上；
形成第一掺杂区及第二掺杂区在所述基板中，其中所述闸极结构设置在所述第一掺杂区及所述第二掺杂区之间；
形成第一间隔及第二间隔在所述闸极结构的相应侧壁上；以及
形成第一轻掺杂区及第二轻掺杂区在所述基板中；
其中所述第一轻掺杂区的宽度小于所述第二轻掺杂区的宽度。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其中，所述第一轻掺杂区的所述宽度大于所述第一掺杂区的宽度；以及所述第二轻掺杂区的所述宽度大于所述第二掺杂区的宽度。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，更包括：
提供掩模在所述闸极结构及所述第二掺杂区上方；以及
形成第三掺杂区在所述第一掺杂区的底部，并延伸远离所述第一掺杂区的底面。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，其中，所述第一掺杂区的宽度大于所述第三掺杂区的所述宽度。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其中，所述第一间隔的宽度小于所述第二间隔的宽度。
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