[发明专利]金属掩膜板的表面处理方法

权利要求书

1.一种金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述金属掩膜板用于柔性OLED封装中，所述表面处理方法包括：

S11：采用氯化氢溶液清洗金属掩膜板的表面；

S12：对清洗后的金属掩膜板进行水洗，并采用热风对水洗后的金属掩膜板进行烘干；

S13：采用脉冲式磁控溅射方式对烘干后的金属掩膜板进行镀膜，并在金属掩膜板的表面形成一薄膜；

S14：取出镀膜后的金属掩膜板，并进行静置冷却。

2.根据权利要求1所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述步骤S13，具体包括：

S131：将烘干后的金属掩膜板传送至溅射镀膜腔体中的待镀膜区；

S132：在所述溅射镀膜腔体中准备好镀膜用的靶材后，设置镀膜所需的环境条件；

S133：待所述环境条件稳定后，充入溅射镀膜所需气体；

S134：将烘干后的金属掩膜板输送至镀膜区进行镀膜，并在金属掩膜板的表面形成一薄膜。

3.根据权利要求2所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述步骤S132中，环境条件包括温度范围为0～300°，真空度低于20*10^-3pa。

4.根据权利要求2所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述步骤S133中，溅射镀膜所需气体的浓度为5％～50％，此时的真空度为0.03～0.1pa。

5.根据权利要求2所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述步骤S134中，在镀膜时，靶材与金属掩膜板之间的距离为5～30cm，镀膜溅射功率为0.3～2kw，镀膜时间为2～10h。

6.根据权利要求2所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述薄膜的厚度小于10微米，材料为氧化锌、氧化铝、氧化钛、氧化锆、氮化钛、碳化硅或氮化硅中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S13之前，所述表面处理方法还包括：

在烘干后的金属掩膜板的表面通过磁控溅射、电镀或蒸镀方式镀一过渡层。

8.根据权利要求7所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述过渡层的厚度小于5微米，材料为钛、铝、锆、铜、银、镍、铂、钼或钨当中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述步骤S11中，氯化氢溶液的浓度小于15％，清洗温度为20～30°，时间为1～10min。

10.根据权利要求1所述的金属掩膜板的表面处理方法，其特征在于，所述步骤S12中，水洗时间为1～15min，烘干温度为0～300°，时间为10～60min，所述步骤S14中，静置温度为20～30°，时间为30～60min。