[发明专利]一种微发光二极管显示基板及其制备方法

权利要求书

1.一种微发光二极管显示基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成一像素定义层并进行图案化，形成一绑定孔，以及在所述像素定义层上对应于所述绑定孔两侧分别形成隔离凹槽；

在像素定义层上形成一底电极层，所述底电极层包括相互绝缘的一第一底电极及一第二底电极；

对所述像素定义层进行侧面刻蚀，以使得所述底电极层在所述隔离凹槽处与所述像素定义层形成第二底切结构，其中，所述第二底切结构为在所述隔离凹槽处所述底电极层的宽度大于所述像素定义层的宽度；

在所述底电极层上对应于所述绑定孔处形成一粘合层；

提供一转运基板，所述转运基板上包括至少一剥离层及至少一微发光二极管结构，所述微发光二极管结构通过所述剥离层与所述转运基板固定连接，所述微发光二极管结构包括一第一侧电极和一第二侧电极，所述剥离层在所述第二侧电极处与所述微发光二极管结构形成第一底切结构，其中，所述第一底切结构为所述剥离层自与所述第二侧电极接触部分向外延伸一段距离；

将所述微发光二极管结构与所述粘合层粘合，并剥离所述转运基板；

利用开放式掩膜板在所述剥离层上沉积顶部电极材料，形成一顶电极层，所述顶电极层包括一顶电极、一第一自对准导线及一第二自对准导线，且所述顶电极与所述第二自对准导线绝缘；

其中，所述顶电极通过所述第一自对准导线与所述第一侧电极及所述第一底电极连接绑定，所述第二侧电极通过所述第二自对准导线与所述第二底电极连接绑定。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微发光二极管结构进一步采用如下步骤制成：

在一衬底上外延沉积微发光二极管芯片的外延层；

对所述外延层进行图案化处理，形成至少一微发光二极管芯片及对应的连接板，所述连接板形成于所述微发光二极管芯片底部，并自所述微发光二极管芯片底部向两侧分别延伸形成一第一连接端及一第二连接端；

在所述微发光二极管芯片及所述第二连接端上形成一绝缘保护层并进行开孔，形成一电极接触孔；

在所述绝缘保护层上沉积导电材料，形成一第一侧电极及一第二侧电极，其中，所述第一侧电极与所述第一连接端接触，所述第二侧电极通过所述电极接触孔与所述微发光二极管芯片接触；以及

剥离所述衬底，获取至少一所述微发光二极管结构。

3.一种微发光二极管显示基板，其特征在于，所述微发光二极管显示基板包括：

一衬底基板；

一像素定义层，设置于所述衬底基板上，所述像素定义层具有一绑定孔以及位于所述绑定孔两侧的隔离凹槽；

一底电极层，设置于所述像素定义层上，所述底电极层包括相互绝缘的一第一底电极及一第二底电极；

一粘合层，设置于所述底电极层上且对应于所述绑定孔；

一微发光二极管结构，嵌入所述粘合层中，所述微发光二极管结构包括一第一侧电极和一第二侧电极；

一剥离层，设置于所述微发光二极管结构上，并在所述第二侧电极处与所述微发光二极管结构形成第一底切结构，其中，所述第一底切结构为所述剥离层自与所述第二侧电极接触部分向外延伸一段距离；以及

一顶电极层，设置于所述剥离层上，所述顶电极层包括一顶电极、一第一自对准导线及一第二自对准导线，且所述顶电极与所述第二自对准导线绝缘；

其中，所述顶电极通过所述第一自对准导线与所述第一侧电极及所述第一底电极连接绑定，所述第二侧电极通过所述第二自对准导线与所述第二底电极连接绑定；

所述底电极层在所述隔离凹槽处与所述像素定义层形成第二底切结构，使得所述第一自对准导线及所述第二自对准导线分别在相应的隔离凹槽处断开，其中，所述第二底切结构为在所述隔离凹槽处所述底电极层的宽度大于所述像素定义层的宽度。