[发明专利]一种微发光二极管显示基板及其制备方法

说明书

本申请公开一种微发光二极管显示基板及其制备方法。所述制备方法将Micro LED结构与接收基板通过有机粘合剂固定，Micro LED结构两侧设有电极，其上带有底切结构，接收基板上也带有底切结构，从而仅采用开放式掩膜板沉积电极材料，即可获得顶电极及连接Micro LED结构与接收基板间电极的自对准导线，电极间具有良好的绝缘性；可以一次性完成所有Micro LED结构与接收基板间对应电极间的连接，且可以避免每颗Micro LED结构与接收基板连接出现差异性，提高器件制作良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管显示基板及其制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种能够将电能转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管的发光原理是电子在N型半导体与P型半导体间移动的能量差以光的形式释放。发光二极管具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配及可靠性高等优点，目前常作为光源被广泛应用。随着LED技术的成熟，直接使用LED作为点像素的LED显示器或微发光二极管(Micro LED)显示器逐渐发展起来。

Micro LED显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的自发光显示器，同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。其中，在Micro LED显示器的制作过程，先在供给基板(如蓝宝石类基板)上通过分子束外延的方法生长出多个微小化、薄膜化以及阵列化的Micro LED颗粒，再将这些MicroLED颗粒从供给基板转移到用于形成显示面板的接收基板上排成显示阵列。

然而，转移Micro LED颗粒涉及巨量且微小的发光二级管精确转移，精确绑定等问题。目前已知的Micro LED与TFT阵列基板(即接收基板)间的电极连接绑定(Bonding)方案中，大多数方法为Micro LED转移到TFT阵列基板，与基板上预图案化的绑定材料进行电极粘合绑定。所述电极粘合绑定较多采用AuSn、InSn等类似的低熔点金属进行粘合绑定，涉及绑定材料固相-液相-固相转化，邦定过程复杂，可靠性低，容易造成绑定不良，导致修复成本增加。

因此，如何简化转移Micro LED颗粒时的邦定操作，提高邦定可靠性，提高器件制作良率，成为现有Micro LED显示技术发展亟需改进的技术问题。

发明内容

本申请的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种微发光二极管显示基板及其制备方法，可以简化转移Micro LED颗粒时的邦定操作，避免Micro LED与TFT阵列基板连接出现差异性，提高邦定可靠性，提高器件制作良率。

为实现上述目的，本申请提供了一种微发光二极管显示基板的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一像素定义层并进行图案化，形成一绑定孔；在像素定义层上形成一底电极层，所述底电极层包括相互绝缘的一第一底电极及一第二底电极；在所述底电极层上对应于所述绑定孔处形成一粘合层；提供一转运基板，所述转运基板上包括至少一剥离层及至少一微发光二极管结构，所述微发光二极管结构通过所述剥离层与所述转运基板固定连接，所述微发光二极管结构包括一第一侧电极和一第二侧电极，所述剥离层在所述第二侧电极处与所述微发光二极管结构形成第一底切结构；将所述微发光二极管结构与所述粘合层粘合，并剥离所述转运基板；在所述剥离层上形成一顶电极层，所述顶电极层包括一顶电极、一第一自对准导线及一第二自对准导线，且所述顶电极与所述第二自对准导线绝缘；其中，所述顶电极通过所述第一自对准导线与所述第一侧电极及所述第一底电极连接绑定，所述第二侧电极通过所述第二自对准导线与所述第二底电极连接绑定。