[发明专利]一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法在审

专利信息
申请号: 201911230421.2 申请日: 2019-12-04
公开(公告)号: CN110950372A 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 张开友;薛永刚;吴丽婷;张瑜;覃爱苗;陈硕平 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: C01G3/00 分类号: C01G3/00;C23C18/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 泡沫 生长 四硫七铜一钾 微米 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:按照以下步骤完成:

(1)裁剪面积为1~3cm2的泡沫镍,用清水、无水乙醇在超声波设备中洗涤15~30分钟,备用;

(2)将步骤(1)所得的泡沫镍用1~3mol/L的盐酸溶液浸泡10~15分钟后取出,用清水冲洗干净,置于40~60℃的干燥设备中30~60分钟,烘干备用;

(3)称取硫酸铜(1.0~1.2g),酒石酸钾钠(3.5~4.0g),氢氧化钠(1.5~2.0g),依次用清水溶于100mL烧杯中,搅拌均匀后滴加甲醛溶液(1.0~1.5mL),加清水至100mL,再次搅拌均匀后得到镀铜的镀液;

(4)将步骤(2)所得的泡沫镍放入步骤(3)的镀液中,室温下浸泡10~20分钟后取出,分别用清水和无水乙醇洗净,置于40~60℃的干燥设备中30~60分钟,得到镀铜的泡沫镍;

(5)量取无水乙醇(1.0~1.2mL)和超纯水(4.5~5.0mL),加入反应容器中;

(6)称取硫粉(5~20mg)和氢氧化钾(2.0~3.0g)放入步骤(5)的反应容器中,并搅拌10~30分钟;

(7)将步骤(4)所得的镀铜的泡沫镍放入步骤(6)的反应容器中,并将反应容器密封于反应釜中;

(8)将步骤(7)所得的反应釜置入能恒温控制的加热设备中,反应温度为110~150℃,反应时间为2~12小时;

(9)反应完毕后,将步骤(8)所得的反应釜从加热设备中取出,冷却至室温,将产物取出,经清洗、干燥后,即得在泡沫镍上生长的四硫七铜一钾微米线阵列。

2.根据权利要求1所述一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:所述硫酸铜、酒石酸钾钠、氢氧化钠、甲醛溶液的用量比为:1.0~1.2g:3.5~4.0g:1.5~2.0g:1.0~1.5mL。

3.根据权利要求1所述一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:所述硫粉、氢氧化钾、无水乙醇、超纯水的用量比为:5~20mg:2.0~3.0g:1.0~1.2mL:4.5~5.0mL。

4.根据权利要求1所述一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:所述清水为去离子水或超纯水或蒸馏水或纯净水。

5.根据权利要求1所述一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:所述超声波设备为超声波清洗器或超声波震荡器。

6.根据权利要求1所述一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:所述干燥设备为烘箱或鼓风干燥箱或真空干燥箱。

7.根据权利要求1所述一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:所述反应容器为聚四氟乙烯容器。

8.根据权利要求1所述一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:所述加热设备为马弗炉或电阻炉或烘箱或干燥箱。

9.根据权利要求1所述一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法,其特征在于:所述反应釜自然冷却或用水冷至室温;所述产物用去离子水或超纯水或蒸馏水或纯净水和无水乙醇冲洗,然后自然晾干或热烘干得到最终产品。

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