[发明专利]一种石英晶体谐振器电极的加工方法

权利要求书

1.一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于将石英晶片放置在专用夹具上，将导电高分子材料制成导电高分子材料溶液，将导电高分子材料溶液覆盖在石英晶片的待加工的电极区域表面形成涂层，将涂层干燥并对边沿进行加工后得到石英晶体谐振器的电极。

2.如权利要求1所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于所述的专用夹具包括固定模板和设置在所述的固定模板上的夹板，所述的固定模板上设置有矩形固定腔，所述的夹板设置有压条和电极区域孔，所述的石英晶片嵌入所述的固定腔内，所述的压条压接在所述的石英晶片上，高分子材料溶液覆盖在所述的电极区域孔内的石英晶片表面。

3.如权利要求2所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于所述的固定腔为通透的固定腔，所述的夹板为两块，分别设置在所述的固定模板的两侧。

4.如权利要求2或3所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于所述的固定腔的四角设置有圆形的保护孔。

5.如权利要求1所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于将导电高分子材料溶液覆盖在石英晶片的待加工的电极区域表面的方法包括喷涂、涂抹、表面沉积、溅射和蒸发沉积。

6.如权利要求5所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于喷涂的具体方法是在压力作用下将导电高分子材料溶液均匀喷射在石英晶体表面指定区域。

7.如权利要求5所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于涂抹的具体方法是用刷子将导电高分子材料溶液均匀涂抹在石英晶体表面指定区域。

8.如权利要求5所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于表面沉积的具体方法是将融化的导电高分子材料溶液保留在石英晶体表面指定区域，直至固化形成薄膜。

9.如权利要求5所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于溅射的具体方法是将导电高分子材料融化，形成导电高分子材料浆液，在高温下喷射到石英晶体表面沉积形成电极层。

10.如权利要求5所述的一种石英晶体谐振器电极的加工方法，其特征在于蒸发沉积的具体方法是让高分子材料融化蒸发，在石英晶体表面指定区域沉积形成电极层。