[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

说明书

提供一种半导体器件及其操作方法。半导体存储器件包括：多个存储体，每个存储体包括多个单元区块和由相邻的单元区块共享的多个感测放大器；以及存储体控制电路，其适用于将根据包括存储体信息的刷新命令而选择的存储体的特定单元区块的正常字线激活，并且在预设延迟时间之后根据目标刷新命令而将不与所述特定单元区块共享感测放大器的单元区块的目标字线激活。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月6日提交的申请号为10-2018-0155909的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例涉及半导体设计技术，并且更具体地，涉及执行刷新操作的半导体存储器件以及用于操作该半导体存储器件的方法。

背景技术

半导体存储器件的存储单元由用作开关的晶体管和用于储存电荷(即，数据)的电容器形成。换言之，根据在存储单元的电容器中是否存在电荷(即，电容器的端子电压是高还是低)，将数据的逻辑电平划分为“高”(逻辑1)和“低”(逻辑0)。

由于数据以在电容器中累积的电荷的形式来储存，因此原则上不存在功耗。然而，由于因晶体管的PN耦合等引起的电流泄漏，可能无法保持储存在电容器中的初始电荷量。结果，数据可能会丢失。为了防止丢失数据，必须在丢失数据之前读取存储单元中的数据，并且必须根据读取的信息再次充电正常的电荷量。该操作需要以预定周期重复执行以保留数据。对存储单元再充电的过程被称为刷新操作(在下文中，被称为“正常刷新操作”)。

近来，除了正常刷新操作之外，还可以对极有可能由于行锤击现象(rowhammering phenomenon)而丢失数据的、特定字线的存储单元执行另一种刷新操作(在下文中，被称为“目标刷新操作”)。行锤击现象可以指如下的现象：耦接至特定字线或耦接至与该特定字线相邻的字线的存储单元的数据由于该特定字线的高激活频率而被损坏。为了防止行锤击现象，可以对被激活了预定次数或更多次数的字线或者与其相邻的字线执行目标刷新操作。

发明内容

本发明的实施例针对一种能够支持单存储体刷新操作和目标刷新操作两者的半导体存储器件以及用于操作该半导体存储器件的方法。

根据本发明的一个实施例，一种半导体存储器件包括：多个存储体，每个存储体包括多个单元区块(cell mat)和由相邻的单元区块共享的多个感测放大器；以及存储体控制电路，其适用于将根据包括存储体信息的刷新命令而选择的存储体的特定单元区块的正常字线激活，并且在预设延迟时间之后根据目标刷新命令而将不与所述特定单元区块共享感测放大器的单元区块的目标字线激活。

根据本发明的一个实施例，一种半导体存储器件包括：多个存储体，每个存储体包括多个单元区块和由相邻的单元区块共享的多个感测放大器；激活控制电路，其适用于根据包括存储体信息的刷新命令而产生第一激活信号，根据目标刷新命令而产生第二激活信号，以及以预定延迟时间的间隔来将所述第一激活信号和所述第二激活信号输出到多个存储体之中的选中的存储体；以及分别与每个存储体的所述单元区块相对应的多个区块控制电路，其适用于基于第一激活信号来激活正常字线，以及基于第二激活信号来激活目标字线，而当正常字线和目标字线被包括在同一单元区块中或相邻的单元区块中时掩蔽第二激活信号。

根据本发明的一个实施例，一种用于操作半导体存储器件的方法包括：提供多个存储体，每个存储体包括多个单元区块和由相邻的单元区块共享的多个感测放大器；将第一激活信号和计数地址输出到根据包括存储体信息的刷新命令而选择的存储体；基于第一激活信号来将与计数地址相对应的正常字线激活；以预设延迟时间的间隔来将第二激活信号和预储存的目标地址输出到选中的存储体；基于第二激活信号来将与目标地址相对应的目标字线激活，而当正常字线和目标字线被包括在同一单元区块中或相邻的单元区块中时通过掩蔽第二激活信号来将目标字线去激活。