[发明专利]提高氧化碲还原效率的方法在审
| 申请号： | 201911234328.9 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110775948A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 龙剑平;周堃;杨武勇;杨士杰;张程 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学;峨嵋半导体材料研究所 |
| 主分类号： | C01B19/02 | 分类号： | C01B19/02 |
| 代理公司： | 51226 成都希盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑旭;武森涛 |
| 地址： | 610051 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化碲 氩气 还原效率 氢气 管式反应器 一端设置 排气口 进气口 多孔石英 还原产物 回收利用 碲氧化物 反应器 还原率 放入 碲粉 还原 堵住 | ||
【权利要求书】：
1.提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：将氧化碲放入管式反应器中，通入氩气排除反应器中的空气，再通入氢气对氧化碲进行处理，反应温度为250-350℃，反应完成后，再将氢气改为氩气，待还原产物降至室温后，得到还原的碲粉；
其中，所述管式反应器有两端，一端设置为进气口，供氢气或氩气通入；另一端设置为排气口，排气口用多孔石英塞堵住。
2.根据权利要求1所述的提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：所述管式反应器为石英玻璃管。
3.根据权利要求1所述的提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：反应温度为300-350℃。
4.根据权利要求3所述的提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：反应温度为350℃。
5.根据权利要求1-4任一项所述的提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：反应时间为1.5-2h。
6.根据权利要求1-5任一项所述的提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：反应时间为2h。
7.根据权利要求1所述的提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：氢气的通入速率为0.5-2L/min。
8.根据权利要求7所述的提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：氢气的通入速率为1L/min。
9.根据权利要求1所述的提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：氢气和氩气纯度均为99.999vol.％。
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