[发明专利]级联互补源极跟随器以及控制电路有效

专利信息
申请号: 201911234805.1 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN110908423B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 陶成;季翔宇;陈余;卫海燕;张亚南;付家喜 申请(专利权)人: 龙迅半导体(合肥)股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张静
地址: 230601 安徽省合肥市经济技*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 级联 互补 跟随 以及 控制电路
【权利要求书】:

1.一种级联互补源极跟随器,其特征在于,包括:

至少两个MOS管组成的源极跟随器电路;

反馈电路,所述反馈电路用于对所述源极跟随器电路中提供输出电压的MOS管进行电压钳位,通过调整供给该MOS管的偏置电流,改变该MOS管的栅源电压;

所述源极跟随器电路的输入端用于接入输入电压,输出端用于提供输出电压;

所述反馈电路包括:运放和控制MOS管;

其中,所述运放的正相输入端连接所述源极跟随器电路的输出端,其负相输入端连接所述源极跟随器电路的输入端,其输出端连接所述控制MOS管的栅极;所述控制MOS管的漏极连接所述源极跟随器电路的输出端,其源极用于接入设定电位。

2.根据权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,所述控制MOS管为N型,所述设定电位为接地零电位。

3.根据权利要求2所述的源极跟随器,其特征在于,所述源极跟随器电路包括级联的N型子源极跟随器和P型子源极跟随器;

所述N型子源极跟随器包括N型MOS管,其源极作为所述源极跟随器电路的输出端,通过第一电流源接地,其漏极接入第一电源电压;

所述P型子源极跟随器包括P型MOS管,其栅极作为所述源极跟随器电路的输入端,其源极通过第二电流源与第二电源电压连接,且连接所述N型MOS管的栅极,其漏极接地。

4.根据权利要求2所述的源极跟随器,其特征在于,所述源极跟随器电路包括级联的N型子源极跟随器和P型子源极跟随器;

所述N型子源极跟随器包括第一N型MOS管和第二N型MOS管;所述第一N型MOS管的源极连接所述源极跟随器电路的输出端,所述第一N型MOS管的漏极通过第一电流源与第一电源电压连接,所述第一电源电压还与第二N型MOS管的栅极连接;所述第二N型MOS管的漏极连接所述源极跟随器电路的输出端,其源极接地;

所述P型子源极跟随器包括第一P型MOS管和第二P型MOS管;所述第一P型MOS管的栅极作为源极跟随器电路的输入端,其漏极通过第二电流源接地,其源极连接所述第一N型MOS管的栅极;所述第二P型MOS管的栅极与所述第一P型MOS管的漏极连接,其源极接入第二电源电压,其漏极与所述第一P型MOS管的源极连接。

5.根据权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,所述控制MOS管为P型,所述设定电位为第二电源电压。

6.根据权利要求5所述的源极跟随器,其特征在于,所述源极跟随器电路包括级联的N型子源极跟随器和P型子源极跟随器;

所述N型子源极跟随器包括N型MOS管,其栅极作为所述源极跟随器电路的输入端,其漏极接入第一电源电压,其源极通过第一电流源接地;

所述P型子源极跟随器包括P型MOS管,其栅极连接所述N型MOS管的源极,其源极作为所述源极跟随器电路的输出端,且通过第二电流源与所述第二电源电压连接,其漏极接地。

7.根据权利要求5所述的源极跟随器,其特征在于,所述源极跟随器电路包括级联的N型子源极跟随器和P型子源极跟随器;

所述N型子源极跟随器包括第一N型MOS管和第二N型MOS管;所述第一N型MOS管的栅极作为所述源极跟随器电路的输入端,其源极连接所述第二N型MOS管的漏极,其漏极通过第一电流源与第一电源电压连接;所述第二N型MOS管的栅极通过所述第一电流源与所述第一N型MOS管的漏极连接,其源极接地;

所述P型子源极跟随器包括第一P型MOS管和第二P型MOS管;所述第一P型MOS管的栅极连接所述第一N型MOS管的源极,其源极连接所述源极跟随器电路的输出端,其漏极通过第二电流源接地;所述第二P型MOS管的栅极连接所述第一P型MOS管的漏极,其源极连接第二电源电压,其漏极连接所述第一P型MOS管的源极。

8.一种控制电路,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的源极跟随器。

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