[发明专利]级联互补源极跟随器以及控制电路有效
申请号: | 201911234805.1 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN110908423B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 陶成;季翔宇;陈余;卫海燕;张亚南;付家喜 | 申请(专利权)人: | 龙迅半导体(合肥)股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张静 |
地址: | 230601 安徽省合肥市经济技*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 级联 互补 跟随 以及 控制电路 | ||
1.一种级联互补源极跟随器,其特征在于,包括:
至少两个MOS管组成的源极跟随器电路;
反馈电路,所述反馈电路用于对所述源极跟随器电路中提供输出电压的MOS管进行电压钳位,通过调整供给该MOS管的偏置电流,改变该MOS管的栅源电压;
所述源极跟随器电路的输入端用于接入输入电压,输出端用于提供输出电压;
所述反馈电路包括:运放和控制MOS管;
其中,所述运放的正相输入端连接所述源极跟随器电路的输出端,其负相输入端连接所述源极跟随器电路的输入端,其输出端连接所述控制MOS管的栅极;所述控制MOS管的漏极连接所述源极跟随器电路的输出端,其源极用于接入设定电位。
2.根据权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,所述控制MOS管为N型,所述设定电位为接地零电位。
3.根据权利要求2所述的源极跟随器,其特征在于,所述源极跟随器电路包括级联的N型子源极跟随器和P型子源极跟随器;
所述N型子源极跟随器包括N型MOS管,其源极作为所述源极跟随器电路的输出端,通过第一电流源接地,其漏极接入第一电源电压;
所述P型子源极跟随器包括P型MOS管,其栅极作为所述源极跟随器电路的输入端,其源极通过第二电流源与第二电源电压连接,且连接所述N型MOS管的栅极,其漏极接地。
4.根据权利要求2所述的源极跟随器,其特征在于,所述源极跟随器电路包括级联的N型子源极跟随器和P型子源极跟随器;
所述N型子源极跟随器包括第一N型MOS管和第二N型MOS管;所述第一N型MOS管的源极连接所述源极跟随器电路的输出端,所述第一N型MOS管的漏极通过第一电流源与第一电源电压连接,所述第一电源电压还与第二N型MOS管的栅极连接;所述第二N型MOS管的漏极连接所述源极跟随器电路的输出端,其源极接地;
所述P型子源极跟随器包括第一P型MOS管和第二P型MOS管;所述第一P型MOS管的栅极作为源极跟随器电路的输入端,其漏极通过第二电流源接地,其源极连接所述第一N型MOS管的栅极;所述第二P型MOS管的栅极与所述第一P型MOS管的漏极连接,其源极接入第二电源电压,其漏极与所述第一P型MOS管的源极连接。
5.根据权利要求1所述的源极跟随器,其特征在于,所述控制MOS管为P型,所述设定电位为第二电源电压。
6.根据权利要求5所述的源极跟随器,其特征在于,所述源极跟随器电路包括级联的N型子源极跟随器和P型子源极跟随器;
所述N型子源极跟随器包括N型MOS管,其栅极作为所述源极跟随器电路的输入端,其漏极接入第一电源电压,其源极通过第一电流源接地;
所述P型子源极跟随器包括P型MOS管,其栅极连接所述N型MOS管的源极,其源极作为所述源极跟随器电路的输出端,且通过第二电流源与所述第二电源电压连接,其漏极接地。
7.根据权利要求5所述的源极跟随器,其特征在于,所述源极跟随器电路包括级联的N型子源极跟随器和P型子源极跟随器;
所述N型子源极跟随器包括第一N型MOS管和第二N型MOS管;所述第一N型MOS管的栅极作为所述源极跟随器电路的输入端,其源极连接所述第二N型MOS管的漏极,其漏极通过第一电流源与第一电源电压连接;所述第二N型MOS管的栅极通过所述第一电流源与所述第一N型MOS管的漏极连接,其源极接地;
所述P型子源极跟随器包括第一P型MOS管和第二P型MOS管;所述第一P型MOS管的栅极连接所述第一N型MOS管的源极,其源极连接所述源极跟随器电路的输出端,其漏极通过第二电流源接地;所述第二P型MOS管的栅极连接所述第一P型MOS管的漏极,其源极连接第二电源电压,其漏极连接所述第一P型MOS管的源极。
8.一种控制电路,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的源极跟随器。
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