[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻设置的存储区和逻辑区，所述存储区形成有字线栅极，所述逻辑区形成有多晶硅层，所述字线栅极在沿其延伸方向的端面处发生短路，其中，所述字线栅极包括形成于所述半导体衬底上的浮栅和控制栅极，以及嵌设在所述浮栅和控制栅极中的共享字线和SiN层，其中，所述SiN层位于共享字线与控制栅极之间；

在所述半导体衬底上形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层覆盖了部分的所述存储区，并在所述字线栅极沿其延伸方向的端面上暴露出部分长度的字线栅极，所述图形化的掩模层还覆盖了所述逻辑区用于形成逻辑栅极的区域；以及

以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，以及暴露出的所述字线栅极中的共享字线，并去除剩余所述图形化的掩模层，形成逻辑栅极，从而形成分栅快闪存储器；其中，在沿所述字线栅极延伸方向上，所述共享字线的刻蚀长度b，所述SiN层的被误刻蚀长度a之间满足关系式：a＜b。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述图形化的掩模层在沿所述字线栅极延伸方向上暴露出字线栅极的长度大于0.2μm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，以及暴露出的所述字线栅极中的共享字线，并去除剩余所述图形化的掩模层，形成逻辑栅极，从而形成分栅快闪存储器，具体包括：

以所述图形化的掩模层为掩模，通过干法刻蚀工艺刻蚀所述多晶硅层，以及暴露出的所述字线栅极中的共享字线，并去除剩余所述图形化的掩模层，形成逻辑栅极，从而形成分栅快闪存储器。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在沿所述字线栅极延伸方向上，所述共享字线的刻蚀长度b，所述SiN层的被误刻蚀长度a，以及所述逻辑区距离存储区功能区域的距离c之间满足关系式：a＜b＜c。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述逻辑区距离存储区功能区域的距离c小于1.1μm。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻设置的存储区和逻辑区，所述存储区形成有字线栅极，所述逻辑区形成有多晶硅层，所述字线栅极在沿其延伸方向的端面处发生短路，具体包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻设置的存储区和逻辑区，所述存储区形成有字线栅极以及包裹所述字线栅极的保护层，所述半导体衬底上还形成有多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成图形化的初始掩模层，所述图形化的初始掩模层在所述存储区具有一开口；

以所述图形化的初始掩模层为掩模，对所述开口处的所述多晶硅层进行蚀刻，并暴露出所述存储区的保护层以及所述字线栅极沿其延伸方向的端面；以及

对所述保护层进行蚀刻，以暴露出所述保护层包裹的共享字线、控制栅极，以及所述保护层覆盖的半导体衬底，所述字线栅极沿其延伸方向的端面处的SiN层被刻蚀掉，使得所述控制栅极和共享字线之间发生短路。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述图形化的掩模层包括图形化的光刻胶层。

8.一种分栅快闪存储器，其特征在于，通过如权利要求1-7中任一项所述的制备方法制备而成。