[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911235973.2 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112928163A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 成国良;张文广;郑春生;张华;甘露 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；
在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成牺牲层；
对所述牺牲层进行氧化处理，使所述牺牲层转化成氧化层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底后，在形成所述牺牲层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成缓冲层；
形成所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层形成在所述缓冲层上；
形成所述氧化层后，所述氧化层和所述缓冲层用于构成栅氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺，在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成缓冲层。
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述鳍部的顶面和侧壁、以及所述衬底表面形成缓冲层。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为0～200W。
6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的步骤中，所述缓冲层的厚度为
7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的步骤中，所述缓冲层的材料包括氧化硅。
8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层与所述缓冲层的材料相同。
9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述缓冲层后，形成所述牺牲层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在含氧气体氛围中，对所述缓冲层进行等离子体处理，适于提高所述缓冲层的致密度。
10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述缓冲层后，形成所述牺牲层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述缓冲层进行微波处理，适于提高所述缓冲层的致密度。
11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理采用的输出功率为0～100W。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用炉管工艺，形成所述牺牲层。
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述炉管工艺的温度为300～400℃。
14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用热氧化工艺，对所述牺牲层进行氧化处理。
15.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；
牺牲层，位于所述鳍部的顶部和侧壁、以及所述衬底表面，所述牺牲层适于经氧化处理转化成氧化层。
16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：缓冲层，位于所述基底与所述牺牲层之间。
17.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅。
18.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度为
19.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层的材料与所述鳍部的材料相同。
20.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲层的厚度为
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