[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；

采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述鳍部的顶部和侧壁、以及所述衬底表面形成第一氧化层，形成第一氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第一功率；

采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述第一氧化层上形成第二氧化层，形成第二氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第二功率，所述第二功率大于所述第一功率，所述第二氧化层与所述第一氧化层用于构成栅氧化层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述第一氧化层后，在所述第一氧化层上形成第二氧化层之前，对所述第一氧化层进行第一紫外线照射处理，适于提高所述第一氧化层的致密度。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述第一氧化层后，在所述第一氧化层上形成第二氧化层之前，对所述第一氧化层进行微波处理，适于提高所述第一氧化层的致密度。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一功率为50W至200W。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二功率为300W至500W。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为至

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一紫外线照射处理的工艺参数包括：温度为0℃至100℃，照射时间为1min至120min。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二氧化层的步骤中，所述第二氧化层的厚度为至

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二氧化层后，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述第二氧化层进行第二紫外线照射处理，适于提高所述第二氧化层的致密度。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在含氧气体氛围中，对所述第二氧化层进行第二紫外线照射处理；

或者，在进行所述第二紫外线照射处理后，所述半导体结构的形成方法还包括：在含氧气体氛围中，对所述第二氧化层进行第二等离子体处理。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二紫外线照射处理的工艺参数包括：温度为0℃至100℃，照射时间为1min至120min。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在含氧气体氛围中，对所述第二氧化层进行第二紫外线照射处理，所述含氧气体为氧气，氧气的气体流量为0sccm至500sccm。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的材料包括氧化硅。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二氧化层的材料包括氧化硅。