[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述鳍部的顶部和侧壁、以及所述衬底表面形成第一氧化层，形成第一氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第一功率；采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述第一氧化层上形成第二氧化层，形成第二氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第二功率，所述第二功率大于所述第一功率，所述第二氧化层与所述第一氧化层用于构成栅氧化层。本发明实施例有利于提高栅氧化层的形成质量，进而有利于提高栅氧化层的电学性能，相应优化了半导体结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断Pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(Subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(SCE：short-channel effects)更容易发生。

因此，为了减小短沟道效应的影响，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好的抑制短沟道效应；且FinFET相对于其他器件，与现有集成电路制造具有更好的兼容性。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高栅氧化层的形成质量。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述鳍部的顶部和侧壁、以及所述衬底表面形成第一氧化层，形成第一氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第一功率；采用等离子体增强原子层沉积工艺，在所述第一氧化层上形成第二氧化层，形成第二氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第二功率，所述第二功率大于所述第一功率，所述第二氧化层与所述第一氧化层用于构成栅氧化层。

可选的，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述第一氧化层后，在所述第一氧化层上形成第二氧化层之前，对所述第一氧化层进行第一紫外线照射处理，适于提高所述第一氧化层的致密度。

可选的，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述第一氧化层后，在所述第一氧化层上形成第二氧化层之前，对所述第一氧化层进行微波处理，适于提高所述第一氧化层的致密度。

可选的，所述第一功率为50W至200W。

可选的，所述第二功率为300W至500W。

可选的，所述第一氧化层的厚度为至

可选的，所述第一紫外线照射处理的工艺参数包括：温度为0℃至100℃，照射时间为1min至120min。

可选的，形成所述第二氧化层的步骤中，所述第二氧化层的厚度为至

可选的，在形成所述第二氧化层后，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述第二氧化层进行第二紫外线照射处理，适于提高所述第二氧化层的致密度。

可选的，在含氧气体氛围中，对所述第二氧化层进行第二紫外线照射处理；或者，在进行所述第二紫外线照射处理后，所述半导体结构的形成方法还包括：在含氧气体氛围中，对所述第二氧化层进行第二等离子体处理。