[发明专利]一种旋转扩晶装置在审
申请号: | 201911236580.3 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN110854049A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 陈勇伶 | 申请(专利权)人: | 深圳市矽谷半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 卢春华 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 旋转 装置 | ||
本发明涉及扩晶装置技术领域,尤其公开了一种旋转扩晶装置,包括固定架、转动设置于固定架的晶元旋转台、装设于固定架的卡持机构、第一驱动机构及第二驱动机构;第一驱动机构包括转动设置于固定架的多个丝杆、螺接套设在多个丝杆的多个螺母件、与所有螺母件连接的扩晶台;第二驱动机构驱动晶元旋转台转动,卡持机构锁住晶元旋转台;扩晶台转动设置有与晶元旋转台配合的扩晶压板;将待扩晶的晶元组件放置到晶元旋转台,第二驱动机构驱动晶元旋转台转动进而将晶元组件转动到所需的角度,卡持机构卡住晶元旋转台,第一驱动机构驱动扩晶台连带扩晶压板移动,实现对晶元组件的自动扩晶;提升晶元组件的扩晶效率及扩晶良率。
技术领域
本发明涉及扩晶装置技术领域,尤其公开了一种旋转扩晶装置。
背景技术
为了便于晶元的切割及贴装,当晶元组件出帮之后,需要对晶元组件进行扩晶处理,以将晶元组件上多个晶元件之间的间距扩大。现有技术扩晶装置的构造设计不合理,使用极其不便,一方面导致扩晶效率低下;另一方面不能对晶元组件扩晶时所需的角度进行及时调整,会导致扩晶良率低下。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种旋转扩晶装置,第二驱动机构驱动晶元旋转台转动进而将晶元组件转动到所需的角度,第一驱动机构驱动扩晶台连带扩晶压板移动,实现对晶元组件的自动扩晶;提升晶元组件的扩晶效率及扩晶良率。
为实现上述目的,本发明的一种旋转扩晶装置,包括固定架、转动设置于固定架的晶元旋转台、装设于固定架的卡持机构、第一驱动机构及第二驱动机构;第一驱动机构包括转动设置于固定架的多个丝杆、分别螺接套设在多个丝杆外侧的多个螺母件、与所有螺母件连接的扩晶台,第一驱动机构用于驱动多个丝杆同步转动;第二驱动机构用于驱动晶元旋转台转动,卡持机构用于锁住晶元旋转台;扩晶台转动设置有与晶元旋转台配合的扩晶压板,多个丝杆围绕晶元旋转台的转动轴线设置。
其中,晶元旋转台设有多个滚珠滑套,扩晶压板设有分别与多个滚珠滑套配合的多个滚珠滑竿,滚珠滑套套设在滚珠滑竿的外侧,滚珠滑竿与滚珠滑套滑动设置,多个滚珠滑套围绕晶元旋转台的转动轴线设置。
进一步地,固定架设有贯穿固定架的穿孔,晶元旋转台容设于穿孔内;固定架转动设置有突伸入穿孔内的多个支撑轮,支撑轮设有第一环槽,第一环槽围绕支撑轮的转动轴线设置;晶元旋转台设有环形突肋,多个支撑轮围绕晶元旋转台设置,环形突肋伸入支撑轮的第一环槽内。
其中,支撑轮为第一轴承,第一环槽自第一轴承的外圈的侧表面凹设而成。
进一步地,多个支撑轮包括正心轮及偏心轮,正心轮的转动轴线与穿孔的中心轴线平行设置,偏心轮的转动轴线与穿孔的中心轴线交叉设置。
其中,第一驱动机构包括第一电机、第一环带及多个第一带轮,多个第一带轮分别设置于多个丝杆,第一环带套设在多个第一带轮上,第一电机经由驱动第一环带或丝杆使得螺母件连带扩晶台移动;每一第一带轮均配置有转动设置在固定架的两个压轮,第一带轮位于配置的两个压轮之间,压轮将第一环带压持第一带轮,第一带轮与配置的两个压轮之间的第一环带呈V型。
进一步地,卡持机构包括伸缩气缸、与伸缩气缸的活塞杆连接的卡柱;晶元旋转台可拆卸连接有多个卡头,多个卡头围绕晶元旋转台的转动轴线设置,卡头设有用于容设卡柱的卡孔。
其中,第二驱动机构包括设置于固定架的第二电机,设置于第二电机的输出轴的第二带轮,套设于第二带轮外侧及晶元旋转台的外侧的第二环带;晶元旋转台设有容设第二环带的第二环槽,第二电机经由第二带轮、第二环带驱动晶元旋转台转动。
进一步地,晶元旋转台可拆卸连接有与扩晶压板配合使用的扩晶圆环。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市矽谷半导体设备有限公司,未经深圳市矽谷半导体设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911236580.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造