[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底和位于所述衬底上的初始图形层，所述初始图形层利用刻蚀工艺所形成；

利用等离子体沉积工艺，在所述初始图形层的侧壁形成覆盖层，所述初始图形层和覆盖层作为图形层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖层的步骤中，所述覆盖层的材料与所述初始图形层的材料相同。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为单晶硅、多晶硅或无定型硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体沉积工艺包括直流叠加等离子体工艺或者等离子体增强原子层沉积工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体沉积工艺为直流叠加等离子体工艺，所述直流叠加等离子体工艺的工艺参数包括：腔室压强为4mTorr至50mTorr，源功率为100W至1000W，偏置功率为0至500W，直流电压为0至1200V，采用的反应气体包括碳氟气体、N₂、Ar和H₂中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖层的步骤中，所述覆盖层的厚度为0.5纳米至3纳米。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成衬底和位于所述衬底上的初始图形层的步骤中，所述初始图形层为初始鳍部；

在所述初始图形层的侧壁形成覆盖层的步骤中，所述初始图形层以及位于所述初始图形层侧壁的所述覆盖层作为所述图形层，所述图形层作为鳍部。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始图形层后，形成所述覆盖层前，在所述初始图形层之间的所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述初始图形层的部分侧壁；

在所述初始图形层的侧壁形成所述覆盖层的步骤中，所述覆盖层保形覆盖所述隔离层露出的所述初始鳍部以及所述隔离层的顶部；

形成所述覆盖层后，还包括：去除位于所述隔离层的顶部的所述覆盖层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述隔离层的顶部的所述覆盖层的步骤包括：采用各向异性的氧化工艺对所述隔离层顶部的所述覆盖层进行氧化处理，形成氧化层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向异性的氧化工艺的参数包括：反应气体包括氧气，源功率为300W至1000W；压强为4mTorr至100mTorr，偏置功率为0至500W，反应气体的流量为50sccm至500sccm。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成衬底和位于所述衬底上的初始图形层的步骤中，所述初始图形层为初始核心层；

在所述初始图形层的侧壁形成覆盖层的步骤中，所述覆盖层保形覆盖所述初始图形层以及所述初始图形层之间的所述衬底，所述初始图形层和位于所述初始图形层侧壁的所述覆盖层作为图形层，所述图形层为核心层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述图形层后，形成保形覆盖所述图形层的侧墙材料层；

去除所述图形层顶部以及所述图形层之间所述衬底上的所述侧墙材料层，位于所述图形层侧壁上剩余的所述侧墙材料层作为侧墙层；

形成所述侧墙层后，去除所述图形层；

去除所述图形层后，以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述衬底，形成剩余衬底和位于所述剩余衬底上的目标图形。