[发明专利]在基片的表面制备光刻图形的方法在审
申请号: | 201911236966.4 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN112925169A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 陈洋;龚燕飞;刘涛 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 制备 光刻 图形 方法 | ||
1.一种在基片的表面制备光刻图形的方法,包括:
在基片的表面贴附干膜,所述基片形成有贯通孔,所述干膜覆盖所述贯通孔在所述基片的表面的开口,所述干膜是光敏性干膜;
在所述基片的背面贴附高分子薄膜;
使用曝光机台的吸盘吸附所述高分子薄膜,并对所述干膜进行曝光处理;以及
对曝光后的干膜进行显影处理,以得到所述干膜的光刻图形。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括:
在对所述干膜进行曝光处理之后,去除所述基片的背面的高分子薄膜;以及
在对曝光后的干膜进行显影处理前,对曝光后的干膜进行曝光后烘烤处理。
3.如权利要求1所述的方法,其中,
所述干膜与所述基片的表面之间没有气泡。
4.如权利要求1所述的方法,其中,
所述干膜厚度均匀且无塌陷。
5.如权利要求3或4所述的方法,其中,
在基片的表面贴附干膜的步骤是在真空环境中进行的。
6.如权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括:
在对所述干膜进行曝光处理之前,去除所述干膜表面的保护薄膜。
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