[发明专利]在基片的表面制备光刻图形的方法

说明书

本申请提供一种在基片的表面制备光刻图形的方法，包括：在基片的表面贴附干膜，所述基片形成有贯通孔，所述干膜覆盖所述贯通孔在所述基片的表面的开口，所述干膜是光敏性干膜；在所述基片的背面贴附高分子薄膜；使用曝光机台的吸盘吸附所述高分子薄膜，并对所述干膜进行曝光处理；以及对曝光后的干膜进行显影处理，以得到所述干膜的光刻图形。根据本申请，在具有贯通孔的基片表面贴附光敏性干膜，通过对干膜进行曝光和显影，能够得到膜厚均匀、关键尺寸均匀且无塌陷的光刻图形。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种在基片的表面制备光刻图形的方法。

背景技术

光刻技术是指在光照作用下，将掩膜版上的图形转移到基片表面的光刻胶上以形成光刻图形的技术。在光刻之后，可以以光刻图形为掩膜，对基片进行湿法或干法刻蚀，从而将光刻图形转移到基片的表面。

在对光刻胶进行曝光(即，施加光照)的工艺中，光刻胶的厚度是否均匀，会直接影响到光刻图形的精度以及关键尺寸(Critical Dimension，CD)是否均匀。在通常的光刻工艺中，采用旋涂(spin/spray)的方法在基片的表面形成光刻胶，即，将液态的光刻胶涂覆于基片的表面，通过旋转基片使光刻胶厚度均匀地分布在基片的表面。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本申请的发明人发现，对于有贯通孔的基片，例如硅通孔(Through Silicon Via，TSV)的硅晶圆，传统的旋涂涂胶方法无法使贯通孔的表面覆盖厚度均匀的光刻胶，尤其是对于有些需要在贯通孔上制作图形结构的基片来说，传统的形成光刻图形的流程无法得到膜厚均匀，关键尺寸(CD)均匀且无塌陷的光刻图形。

本申请提供一种在基片的表面制备光刻图形的方法，在具有贯通孔的基片表面贴附光敏性干膜，通过对干膜进行曝光和显影，能够得到膜厚均匀、关键尺寸(CD)均匀且无塌陷的光刻图形。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种在基片的表面制备光刻图形的方法，包括：

在基片的表面贴附干膜，所述基片形成有贯通孔，所述干膜覆盖所述贯通孔在所述基片的表面的开口，所述干膜是光敏性干膜；

在所述基片的背面贴附高分子薄膜；

使用曝光机台的吸盘吸附所述高分子薄膜，并对所述干膜进行曝光处理；以及

对曝光后的干膜进行显影处理，以得到所述干膜的光刻图形。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述方法还包括：

在对所述干膜进行曝光处理之后，去除所述基片的背面的高分子薄膜；以及

在对曝光后的干膜进行显影处理前，对曝光后的干膜进行曝光后烘烤处理。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述干膜与所述基片的表面之间没有气泡。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述干膜厚度均匀且无塌陷。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，在基片的表面贴附干膜的步骤是在真空环境中进行的。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述方法还包括：

在对所述干膜进行曝光处理之前，去除所述干膜表面的保护薄膜。

本申请的有益效果在于：在具有贯通孔的基片表面贴附光敏性干膜，通过对干膜进行曝光和显影，能够得到膜厚均匀、关键尺寸(CD)均匀且无塌陷的光刻图形。