[发明专利]结构可控的空心钴酸镍纳米线/片状氧化锰核壳阵列材料及制备方法在审

专利信息
申请号: 201911238141.6 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111001414A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 王亮;薛海荣;王自强;许友;王鸿静 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: B01J23/889 分类号: B01J23/889;B01J35/02;C25B1/04;C25B11/06
代理公司: 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人: 王利强
地址: 310014 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 结构 可控 空心 钴酸镍 纳米 片状 氧化锰 阵列 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种结构可控的空心钴酸镍纳米线/片状氧化锰核壳阵列材料,由如下方法制备:

(1)将0.1~0.6g硝酸钴、0.05~0.3g硝酸镍、0.2~0.4g尿素溶解于40mL乙醇/水的混合溶液中,再加入处理后的碳布(2cm×1cm),80~120℃水热反应8~24h后,洗涤、离心,干燥,最后得到了碳布上均匀生长的镍钴前驱纳米线阵列;

(2)将所得镍钴前驱纳米阵列放入0.4~1.6mM高锰酸钾溶液中,140~180℃水热反应20~60min,最后,将洗涤、离心,干燥后的镍钴锰混合前驱阵列;

(3)将镍钴锰混合前驱阵列在氮气气氛中300~400℃煅烧2~4h,形成生长在碳布上的空心钴酸镍纳米线/片状氧化锰核壳阵列材料。

2.如权利要求1所述的空心钴酸镍纳米线/片状氧化锰核壳纳米线阵列材料,其特征在于,尿素的添加通过其水解调节前驱溶液的pH值,使碱性镍钴前驱纳米阵列更容易在碳布生长,在制备过程中,改变反应物的浓度可以调控纳米阵列的尺寸、直径和密集度。

3.一种如权利要求1所述的结构可控的空心钴酸镍纳米线/片状氧化锰核壳阵列材料的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

(1)将0.1~0.6g硝酸钴、0.05~0.3g硝酸镍、0.2~0.4g尿素溶解于40mL乙醇/水的混合溶液中,再加入处理后的碳布(2cm×1cm),80~120℃水热反应8~24h后,洗涤、离心,干燥,最后得到了碳布上均匀生长的镍钴前驱纳米线阵列;

(2)将所得镍钴前驱纳米阵列放入0.4~1.6mM高锰酸钾溶液中,140~180℃水热反应20~60min,最后,将洗涤、离心,干燥后的镍钴锰混合前驱阵列;

(3)将镍钴锰混合前驱阵列在氮气气氛中300~400℃煅烧2~4h,形成生长在碳布上的空心钴酸镍纳米线/片状氧化锰核壳阵列材料。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,控制硝酸钴,硝酸镍,尿素,高锰酸钾的浓度,以及水热反应及热处理的温度,时间来调控纳米线阵列的形貌和结构。

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