[发明专利]带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法

说明书

一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，应用于焊接技术领域，包括：将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体，其中，多个第一焊片一一置于Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处，将第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中，按照第二预设条件进行焊接，其中，第二焊片和第一焊接体置于组件壳体内，第一焊接体置于第二焊片上，能够有效提高带有深腔结构的Au基LTCC基板大面积焊接的钎透率，保证Au基LTCC基板具有优异的接地性能。

技术领域

本申请涉及焊接技术领域，尤其涉及一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法。

背景技术

近年来随着有源相控阵雷达技术的不断发展，作为构成有源相控阵雷达天线的T/R组件也在不断朝着高频率、高可靠、高集成度、超小型化的方向发展。而Au基LTCC基板(低温共烧陶瓷基板)作为一种新型的多层陶瓷基板，因其更易于实现多层布线、更易于内埋元器件、具有良好的高频特性和高速传输特性，在高集成度的毫米波T/R组件中得到了广泛应用。

目前，为了进一步提高组装集成度、便于布线，毫米波T/R组件中的微波传输线正在逐渐由微带线向带状线转变，从而形成了带深腔结构的Au基LTCC基板。由于Au基LTCC基板制造工艺自身的局限性，导致其难以避免具有不平整的缺陷。对于带深腔结构的Au基LTCC基板而言，这种缺陷更为严重。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，可提高带有深腔结构的Au基LTCC基板焊接的钎透率。

为实现上述目的，本申请实施例提供一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，包括：

将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体，其中，所述多个第一焊片一一置于所述Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处；

将所述第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中，按照第二预设条件进行焊接，其中，所述第二焊片和所述第一焊接体置于所述组件壳体内，所述第一焊接体置于所述第二焊片上。

进一步地，所述将所述第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中之后，包括：

在所述Au基LTCC基板深腔结构处均放置陶瓷片，所述陶瓷片与所述深腔结构适配；

将焊接夹具安装在所述第一焊接体上。

进一步地，所述第一焊片和所述第二焊片的厚度为所述Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处平均深度的2倍。

进一步地，所述第一焊片的长宽分别为所述Au基LTCC基板深腔结构长宽的1.25倍。

进一步地，所述第二焊片的长宽分别为所述Au基LTCC基板长宽的0.95倍。

进一步地，所述第一预设条件包括预热温度设置在160-180摄氏度，预热时间持续5-8分钟，焊接温度设置在270-290摄氏度，焊接时间持续3-6分钟。

进一步地，所述第二预设条件包括预热温度设置在160-180摄氏度，预热时间持续6-10分钟，焊接温度设置在280-315摄氏度，焊接时间持续4-8分钟。

进一步地，所述将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体之前，包括：

将所述第一焊片、第二焊片、Au基LTCC基板、组件壳体放入盛氯仿的烧杯中进行浸泡，再在盛氯仿的烧杯中将所述第一焊片、第二焊片、Au基LTCC基板、组件壳体进行超声清洗；