[发明专利]一种抑制单粒子瞬态的层叠结构有效
| 申请号： | 201911239245.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110995234B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 耿鹏飞;宁冰旭;徐灵炎;沈鸣杰 | 申请（专利权）人： | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 中国和平利用军工技术协会专利中心 11215 | 代理人： | 刘光德;彭霜 |
| 地址： | 200438 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 粒子 瞬态 层叠 结构 | ||
1.一种抑制单粒子瞬态的层叠结构，其特征在于，所述层叠结构包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管和第一NMOS管的栅端与第一连接点连接；
所述第二PMOS管和第二NMOS管的栅端与第二连接点连接；
所述第二PMOS管的漏端与所述第一NMOS管的漏端相连；
所述第一PMOS管的源端与直流电源连接；所述第一PMOS管的漏端与所述第二PMOS管的源端相连；所述第一NMOS管的源端与所述第二NMOS管的漏端相连；所述第二NMOS管的源端接地；
所述第一PMOS管和第二PMOS管的第一背栅接在一起后与直流电源连接；所述第一NMOS管和第二NMOS管的第二背栅接在一起后接地；
所述层叠结构还包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；
所述第三PMOS管的栅端与所述第一连接点连接；所述第四NMOS管的栅端与所述第二连接点连接；
所述第三NMOS管的栅端和第四PMOS管的源端与所述第一PMOS管的漏端和第二PMOS管的源端接在一起；所述第三NMOS管的源端和第四PMOS管的栅端与所述第一NMOS管的源端和第二NMOS管的漏端接在一起；
所述第三PMOS管的源端与直流电源连接；所述第三PMOS管的漏端与第三NMOS管的漏端连接；所述第四PMOS管的漏端与所述第四NMOS管的漏端连接；所述第四NMOS管的源端接地；
所述第三PMOS管和第四PMOS管的第一背栅与所述第一PMOS管和第二PMOS管的第一背栅接在一起后与直流电源连接；所述第三NMOS管和第四NMOS管的第二背栅与所述第一NMOS管和第二NMOS管的第二背栅接在一起后接地。
2.一种抑制单粒子瞬态的层叠结构，其特征在于，所述层叠结构包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管和第一NMOS管的栅端与第一连接点连接；
所述第二PMOS管和第二NMOS管的栅端与第二连接点连接；
所述第二PMOS管的漏端与所述第一NMOS管的漏端相连；
所述第一PMOS管的源端与直流电源连接；所述第一PMOS管的漏端与所述第二PMOS管的源端相连；所述第一NMOS管的源端与所述第二NMOS管的漏端相连；所述第二NMOS管的源端接地；
所述第一PMOS管和第二PMOS管的第一背栅接在一起后与直流电源连接；所述第一NMOS管和第二NMOS管的第二背栅接在一起后接地；
所述层叠结构还包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；
所述第四NMOS管的栅端与所述第一连接点连接；所述第三PMOS管的栅端与所述第二连接点连接；
所述第三NMOS管的栅端和第四PMOS管的源端与所述第一PMOS管的漏端和第二PMOS管的源端接在一起；所述第三NMOS管的源端和第四PMOS管的栅端与所述第一NMOS管的源端和第二NMOS管的漏端接在一起；
所述第三PMOS管的源端与直流电源连接；所述第三PMOS管的漏端与第三NMOS管的漏端连接；所述第四PMOS管的漏端与所述第四NMOS管的漏端连接；所述第四NMOS管的源端接地；
所述第三PMOS管和第四PMOS管的第一背栅与所述第一PMOS管和第二PMOS管的第一背栅接在一起后与直流电源连接；所述第三NMOS管和第四NMOS管的第二背栅与所述第一NMOS管和第二NMOS管的第二背栅接在一起后接地。
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