[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，包括相互间隔排布的有源区和浅沟槽隔离区；

多个隔离结构，位于所述衬底表面；

多个凹槽，位于所述多个隔离结构之间，所述凹槽的底部具有第一斜面，所述第一斜面形成于所述有源区；

导电插塞，位于所述凹槽中。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的顶部面积小于底部面积。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一斜面的倾角为30°～40°。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的底部还具有第二斜面，所述第二斜面形成于所述浅沟槽隔离区。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二斜面的倾角为20°～60°。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括位线结构和介质层结构。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的截面为方形、多边形、圆形或椭圆形中的一种或几种。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述多个凹槽呈阵列排布。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一斜面为弧面。

10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相互间隔排布的有源区和浅沟槽隔离区；

在所述衬底表面形成牺牲层材料；

蚀刻部分所述牺牲层材料，以形成多个第一槽；

对所述第一槽沉积介质层后，去除剩余所述牺牲层材料，形成多个第二槽；

对所述第二槽的底部有源区露出部向下蚀刻以形成第一斜面；

以所述第一斜面为基底，在所述第二槽内进行外延硅生长工艺，以填充所述第二槽。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一斜面的倾角为30°～40°。

12.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第二槽的底部有源区露出部向下蚀刻第一斜面还包括：

同时蚀刻所述有源区露出部紧邻的浅沟槽隔离结构露出部，以形成第二斜面。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，对所述有源区露出部和所述浅沟槽隔离结构露出部的蚀刻选择比为1:1。

14.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二槽内进行外延硅生长工艺包括：

将盐酸流量设置为150sccm±30％。

15.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二槽内进行外延硅生长工艺包括：

在填充所述第二槽后，使用湿法工艺去除多晶硅以仅留下单晶硅，并调整填充的硅的顶部为平面。

16.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在填充所述第二槽后，还包括：

在填充的硅表面沉积金属。