[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

多个字线结构，所述多个字线结构在与衬底的主表面平行的水平方向上在所述衬底上延伸，并且在与所述衬底的主表面垂直的竖直方向上彼此交叠；

多个绝缘膜，所述多个绝缘膜与所述多个字线结构在所述竖直方向上交替地堆叠并在所述水平方向上延伸，其中，所述多个字线结构的侧面和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面；

阻挡介电膜，所述阻挡介电膜在所述沟道孔的所述侧面上延伸；以及

多个电荷存储膜，所述多个电荷存储膜在所述沟道孔中在所述阻挡介电膜上彼此间隔开，并且分别位于所述多个字线结构的所述侧面上，所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的所述侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜，

其中，所述第二电荷存储膜包括面对所述阻挡介电膜的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且

其中，所述第二电荷存储膜的所述第二表面在其沿所述竖直方向的中间部分包括凹部。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述多个绝缘膜中的每个绝缘膜的所述侧面朝向所述阻挡介电膜突出超过所述多个字线结构中的每个字线结构的所述侧面。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

隧穿介电膜，所述隧穿介电膜在所述沟道孔中位于所述阻挡介电膜和所述多个电荷存储膜上；以及

沟道膜，所述沟道膜位于所述隧穿介电膜上，

其中，所述阻挡介电膜的面对所述沟道膜的表面包括分别对应于所述多个字线结构的多个凹槽，并且所述多个电荷存储膜中的每个电荷存储膜的至少一部分位于所述阻挡介电膜的所述多个凹槽中的相应凹槽中。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二电荷存储膜在所述水平方向上的宽度大于所述第一电荷存储膜在所述水平方向上的宽度。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二电荷存储膜在所述竖直方向上的高度大于所述第一电荷存储膜在所述竖直方向上的高度。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述多个电荷存储膜中的每个电荷存储膜在所述竖直方向上的高度大于所述多个字线结构中的每个字线结构在所述竖直方向上的高度。

7.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

多个字线结构，所述多个字线结构在与衬底的主表面平行的水平方向上在所述衬底上延伸，并且在垂直于所述主表面的竖直方向上彼此交叠；

多个绝缘膜，所述多个绝缘膜与所述多个字线结构在所述竖直方向上交替地堆叠并在所述水平方向上延伸，其中，所述多个字线结构的侧面和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面；

沟道膜，所述沟道膜在所述沟道孔中在所述竖直方向上延伸；

阻挡介电膜，所述阻挡介电膜位于所述沟道孔中，并在所述沟道孔中在所述多个字线结构的所述侧面和所述多个绝缘膜的所述侧面上延伸，所述阻挡介电膜包括面对所述沟道膜的表面，并且所述表面包括分别位于所述多个字线结构的所述侧面上的多个凹槽；以及

多个电荷存储膜，其中，所述多个电荷存储膜中的每个电荷存储膜的至少一部分位于所述阻挡介电膜的所述多个凹槽中的相应凹槽中。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述多个电荷存储膜中的每个电荷存储膜的面对所述沟道膜的表面在其中间部分具有凹形形状。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述多个电荷存储膜中的每个电荷存储膜包括：

第一电荷存储膜，所述第一电荷存储膜位于所述多个凹槽中的所述相应凹槽中；以及

第二电荷存储膜，所述第二电荷存储膜位于所述第一电荷存储膜上。