[发明专利]掩膜版及其制造方法有效
| 申请号： | 201911242153.6 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110928137B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 侯广杰;谢超 | 申请（专利权）人： | 深圳市龙图光电有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76;G03F1/82;G03F1/68 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518104 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 及其 制造 方法 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
基板，所述基板为透光材料；
图形化阻光层，所述图形化阻光层具有预设图案，为具有阻光效果的金属或金属氧化物，形成于所述基板表面；
以及第一涂层，形成于所述图形化阻光层表面和所述基板的表面，所述第一涂层有透光性，且所述第一涂层的材料中含有氟碳基团，所述第一涂层为7nm～10nm厚的AF层；
还包括第二涂层，所述第二涂层位于所述图形化阻光层与所述第一涂层之间，所述第二涂层为5nm～10nm厚的二氧化硅。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一涂层材料的水接触角为115°-120°，油性接触角为65°-70°。
3.一种掩膜版的制造方法,其特征在于，包括：
提供基板，所述基板为透光材料；
在该基板表面形成第一阻光层，该第一阻光层的表面涂布感光层，通过激光直写的方式对该第一阻光层进行图案的曝光，然后使用碱性溶剂溶解掉被曝光的感光层，裸露出感光层下面的部分第一阻 光 层，最后使用化学蚀刻掉裸露出的部分第一阻光层，形成图形化阻光层；
在所述图形化阻光层和所述基板的表面依次形成第二涂层和第一涂层，所述第一涂层有透光性，且所述第一涂层的材料中含有氟碳基团，所述第一涂层为7nm～10nm厚的AF层；所述第二涂层为5nm～10nm厚的二氧化硅。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成第一涂层300的工艺为真空蒸镀或真空磁溅射。
5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述基板表面形成图形化阻光层之后，还包括：清洗所述图形化阻光层和所述基板的表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市龙图光电有限公司，未经深圳市龙图光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911242153.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阴极热子组件
- 下一篇：一种手持式气体检测处理装置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
