[发明专利]掩膜版及其制造方法有效
申请号: | 201911242153.6 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN110928137B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 侯广杰;谢超 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F1/82;G03F1/68 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 郭燕;彭家恩 |
地址: | 518104 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 及其 制造 方法 | ||
一种掩膜版及其制造方法,所述掩膜版包括基板、图形化阻光层以及第一涂层,其中,所述基板为透光材料,所述第一涂层形成于部分所述基板表面和图形化阻光层表面,且所述第一涂层有透光性,其材料中含有氟炭基团。通过在所述阻光层表面形成所述第一涂层,由于所述第一涂层材料中含有氟炭基团,材料中的氟炭基团能为掩膜版表面提供非常低的表面张力/活性,可以提高对丙酮、酒精类的有机溶剂的耐受性,同时,所述第一涂层使得所形成的掩膜版可以防止光刻胶、灰尘颗粒的粘附,耐擦伤、易清洁,从而减少了掩膜版在使用过程中出现的反复返修、清洗甚至提前报废等问题,提高生产效率及产品良品率。
技术领域
本发明涉及掩膜版的制造领域,具体涉及一种掩膜版及其制造方法。
背景技术
掩膜板由表面记载着图形、文字等信息的金属层薄膜或阻光层薄膜和基板组合而成。
传统掩膜版主要应用于TP(Touch Panel,触摸屏)、LCD(Liquid CrystalDisplay,液晶显示)、FPC(Flexible Printed Circuit,柔性印刷线路)等,其曝光方式都是使用掩膜版为光学模具,通过接触式曝光、真空吸附式曝光等方式将掩膜版上的图形信息复制到其前端产品上。在掩膜版的使用过程中,会产生一系列的工艺难题,例如:掩膜版划伤、脏污等情况,导致掩膜版需要经常返修、清洗和维护,严重影响生产效率及产品良品率。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是避免了掩膜版在使用过程中出现的反复返修、清洗甚至提前报废等问题。
本发明提供了一种掩模板,包括基板,所述基板为透光材料;图形化阻光层,形成于所述基板表面;以及第一涂层,形成于所述图形化阻光层表面和所述基板的表面,所述第一涂层有透光性,且所述第一涂层的材料中含有氟炭基团。
进一步地,所述第一涂层材料的水接触角为115°-120°,油性接触角为65°-70°。
进一步地,第一涂层的材料为AF层,厚度为7nm~10nm。
进一步地,还包括第二涂层,所述第二涂层位于所述图形化阻光层与所述第一涂层之间。
进一步地,所述第二涂层的材料为二氧化硅,厚度为5nm~10nm。
本发明还提供了一种掩膜版的制造方法,包括提供基板,所述基板为透光材料;在所述基板表面形成图形化阻光层;在所述图形化阻光层和所述基板的表面形成第一涂层,所述第一涂层有透光性,且所述第一涂层的材料中含有氟炭基团。
进一步地,形成第一涂层300的工艺为真空蒸镀或真空磁溅射。
进一步地,在所述基板表面形成图形化阻光层之后,还包括:清洗所述图形化阻光层和所述基板的表面。
进一步地,在所述图形化阻光层表面形成第一涂层之前,还包括:在所述图形化阻光层表面和所述基板表面形成第二涂层,其中,所述第一涂层形成于所述第二涂层表面。
进一步地,所述第二涂层的材料为二氧化硅,厚度为5nm~10nm。
依据上述实施例提供的一种掩膜版及其制造方法,掩膜版包括基板、图形化阻光层以及形成于基板表面和图形化阻光层表面的第一涂层,基板为透光材料,第一涂层有透光性,且第一涂层的材料中含有氟炭基团。通过在阻光层表面形成第一涂层,由于第一涂层的材料中含有氟炭基团,氟炭基团涂布在表层,能为掩膜版表面提供较低的表面张力/活性,提高对丙酮、酒精类的有机溶剂的耐受性,同时,所述第一涂层使得所形成的掩膜版可以防止光刻胶、灰尘颗粒的粘附,耐擦伤、易清洁,使得所形成的掩膜版可以避免划伤、脏污等问题,提高生产效率及产品良品率。
附图说明
图1至图4为本申请一实施例提供的掩膜版制作过程结构示意图;
图5为本申请一实施例提供的掩膜版应用示意图;
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备