[发明专利]一种高阻抗膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201911243381.5 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110885967A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 夏伟;张兵;郑建军;张成金;姚仕军;方添志;赵帅 | 申请（专利权）人： | 天津美泰真空技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津合正知识产权代理有限公司 12229 | 代理人： | 马云云 |
| 地址： | 301609 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阻抗 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高阻抗膜的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为含铟复合材料，溅射室的压强抽到1.5-3.5×10-3Pa，工作气体为氩气，溅射压强为0.3-1.0Pa。
2.根据权利要求1所述的高阻抗膜的制备方法，其特征在于：所述溅射的时间为3-10min；优选的，所述溅射的时间为7min，形成厚度为5-7nm的薄膜。
3.根据权利要求1所述的高阻抗膜的制备方法，其特征在于：所述溅射的功率为40-100W；优选的，所述溅射的功率为80W。
4.根据权利要求1所述的高阻抗膜的制备方法，其特征在于：所述溅射的距离为5-10cm，溅射的方式为直流溅射。
5.根据权利要求1所述的高阻抗膜的制备方法，其特征在于：所述氩气的浓度为99.99％。
6.根据权利要求1所述的高阻抗膜的制备方法，其特征在于：所述含铟复合材料为铟锡氧化物，优选的，含铟复合材料为氧化铟锡陶瓷靶。
7.一种由权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到的高阻抗膜。
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