[发明专利]一种高阻抗膜及其制备方法

说明书

本发明提供了一种高阻抗膜的制备方法，该方法包括如下步骤：采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为含铟复合材料，溅射室的压强抽到1.5‑3.5×10^‑3Pa，工作气体为氩气，溅射压强为0.3‑1.0Pa。本发明所述的高阻抗膜具有较高的表面电阻值、较好的防静电效果和较好的抗干扰效果。

技术领域

本发明涉及薄膜技术领域，尤其是涉及一种高阻抗膜及其制备方法。

背景技术

具有高阻抗特性的高阻膜用途广泛，可以应用在电子装置中，当高阻膜接地后，可以为电子装置屏蔽静电，也可以应用于液晶显示器中，作为控制元件，控制某些方向导通，某些方向断开，还可以作为电极。但目前的高阻抗膜的性能一般，尤其是应用在触摸屏上时，要么表面电阻小，抗干扰效果差，要么防静电效果差，限制了触摸屏的使用效果。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种具有较高的表面电阻值、较好的防静电效果和较好的抗干扰效果的高阻抗膜及其制备方法。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种高阻抗膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为含铟复合材料，溅射室的压强抽到1.5-3.5×10^-3Pa，工作气体为氩气，溅射压强为0.3-1.0Pa。

进一步，所述溅射的时间为3-10min；优选的，所述溅射的时间为7min，形成厚度为5-7nm的薄膜。

进一步，所述溅射的功率为40-100W；优选的，所述溅射的功率为80W。

进一步，所述溅射的距离为5-10cm，溅射的方式为直流溅射。

进一步，所述氩气的浓度为99.99％

进一步，所述含铟复合材料为铟锡氧化物，优选的，含铟复合材料为氧化铟锡陶瓷靶。

本发明还提供了一种由上述的制备方法制备得到的高阻抗膜。

相对于现有技术，本发明所述的高阻抗膜具有以下优势：

(1)本发明所述的高阻抗膜的方阻的阻值较高，为10⁸-10¹⁰欧，具有较好的防静电效果和较好的抗干扰效果，且在可见光范围内，透过率可达98％以上，提高画面的清晰度和能度。

(2)本发明所述的溅射的时间优选为7min，溅射的功率优选为80W，在此溅射时间和溅射功率下能够得到高方阻、高透过率的薄膜。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合实施例来详细说明本发明。

实施例1

一种高阻抗膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为氧化铟锡陶瓷靶，溅射室的压强抽到1.5×10^-3Pa，工作气体为氩气，氩气的浓度为99.99％，溅射压强为0.3Pa，溅射的时间为2min，溅射的功率为40W，溅射的距离为8cm，溅射的方式为直流溅射。

实施例2

一种高阻抗膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为氧化铟锡陶瓷靶，溅射室的压强抽到2×10^-3Pa，工作气体为氩气，氩气的浓度为99.99％，溅射压强为0.6Pa，溅射的时间为7min，溅射的功率为80W，溅射的距离为8cm，溅射的方式为直流溅射。