[发明专利]一种芯片封装结构的制作方法在审
申请号: | 201911243801.X | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111029262A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 王全龙;曹立强 | 申请(专利权)人: | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 宋傲男 |
地址: | 200131 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
1.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供载片并在其上键合具有窗口的介质层;
在所述介质层背离所述载片的一侧贴装第一芯片,使所述第一芯片的裸露单元与所述窗口的位置对应,在所述第一芯片的第一芯片焊盘处连接第一导电组件;
在所述介质层背离所述载片的一侧贴装第二芯片,在所述第二芯片的第二芯片焊盘处连接第二导电组件和第三导电组件,使所述第一芯片和第二芯片通过所述第一导电组件和第二导电组件电连接;
制作包封所述第一芯片、第二芯片、第一导电组件、第二导电组件和第三导电组件的塑封体;
在所述塑封体上制作重布线层,使所述第二芯片通过所述第三导电组件与所述重布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,在所述载片上键合介质层后,开设所述窗口。
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,还包括:在所述介质层中设置第一导电转移线,
所述第一导电组件为连接所述第一芯片和所述第一导电转移线的第一导电凸块,所述第二导电组件为连接所述第二芯片和所述第一导电转移线的第二导电凸块;
或者,所述第一导电组件为连接所述第一芯片和所述第一导电转移线的第一导电凸块,以及连接所述第一导电转移线和所述重布线层的第一导电件,所述第二导电组件为连接所述第二芯片和所述重布线层的第二导电凸块;
或者,所述第一导电组件为连接所述第一芯片和所述重布线层的第一导电凸块,以及连接所述重布线层和所述第一导电转移线的第一导电件,所述第二导电组件为连接所述第二芯片和所述第一导电转移线的第二导电凸块。
4.根据权利要求1-3任一所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,还包括:在所述介质层中设置第二导电转移线,
所述第三导电组件为连接所述第二芯片和所述第二导电转移线的第三导电凸块,以及连接所述第二导电转移线和所述重布线层的第二导电件。
5.根据权利要求1-4任一所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,还包括:在所述介质层上围绕所述窗口的周缘制作阻隔层。
6.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述第一导电组件为第一导电凸块,所述第二导电组件为第二导电凸块,所述第三导电组件为第三导电凸块,所述第一导电凸块和第二导电凸块通过重布线层电连接,所述第三导电凸块与重布线层电连接。
7.根据权利要求1-6任一所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,还包括:在所述第一芯片的第一芯片焊盘处连接第四导电组件,使所述第一芯片通过所述第四导电组件与所述重布线层电连接。
8.根据权利要求1-7任一所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,还包括:在所述重布线层制作完成后解键合去除所述载片。
9.根据权利要求1-8任一所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,还包括:所述重布线层制作完成后,在所述重布线层上制作外接焊球。
10.根据权利要求1-9任一所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述第一芯片为光芯片,所述裸露单元为光学接口,所述第二芯片为电芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造