[发明专利]一种FLASH存储器管理方法有效

专利信息
申请号: 201911244583.1 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111258498B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 王永 申请(专利权)人: 浙江零跑科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310051 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 flash 存储器 管理 方法
【权利要求书】:

1.一种FLASH存储器管理方法,其特征是,包括以下过程:一种FLASH存储器管理方法,其特征是,包括以下过程:初始化FLASH存储器,找出存有最新有效数据的读逻辑地址;写入数据时更新读逻辑地址,新的读逻辑地址内存有新的数据,每次写入需要判断当前逻辑地址是否为存储页最后一条逻辑地址,若是才擦除下一页;读取数据时提示读取状态;

所述初始化FLASH存储器具体包括以下步骤:

S101:从定义的FLASH存储区逻辑地址0开始,依次向后查找是否存在STATUS标记为空的存储单元,若是进行S102,若否进行S103;

S102:从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的存储单元,若是进行S104,若否进行S103;

S103:擦除整个FLASH存储器的存储区,设置定义FLASH存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址,初始化结束;

S104:设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址,初始化结束。

2.根据权利要求1所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,所述写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤:

S201:判断写入数据与FLASH存储器内部读出的应用数据是否一致,若是直接结束,不写入FLASH存储器,若否进行S202;

S202:计算写入逻辑地址;

S203:判断写入逻辑地址是否为存储页PAGE的最后一个,若是则擦除下一存储页PAGE的数据,再进行S204;

S204:计算、校验、打包数据,写入FLASH存储器,并将写入逻辑地址作为新的读逻辑地址。

3.根据权利要求2所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,在步骤S202中,计算写入逻辑地址公式为:

写入逻辑地址=(读逻辑地址+1)% 总逻辑地址数。

4.根据权利要求1所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,所述读取数据时提示读取状态的具体过程包括以下步骤:

S301:从当前读逻辑地址读取数据;

S302:判断数据是否存在通过CRC16校验,若是则提示读取成功,若否则提示读取失败。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,在所述写入数据时更新读逻辑地址前先进行初始化FLASH存储器;在所述读取数据时提示读取状态前先进行初始化FLASH存储器。

6.根据权利要求1-4任一项所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,先进行初始化FLASH存储器,再进行写入数据时更新读逻辑地址,最后进行读取数据时提示读取状态。

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