[发明专利]一种FLASH存储器管理方法有效
申请号: | 201911244583.1 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111258498B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 王永 | 申请(专利权)人: | 浙江零跑科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310051 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 flash 存储器 管理 方法 | ||
1.一种FLASH存储器管理方法,其特征是,包括以下过程:一种FLASH存储器管理方法,其特征是,包括以下过程:初始化FLASH存储器,找出存有最新有效数据的读逻辑地址;写入数据时更新读逻辑地址,新的读逻辑地址内存有新的数据,每次写入需要判断当前逻辑地址是否为存储页最后一条逻辑地址,若是才擦除下一页;读取数据时提示读取状态;
所述初始化FLASH存储器具体包括以下步骤:
S101:从定义的FLASH存储区逻辑地址0开始,依次向后查找是否存在STATUS标记为空的存储单元,若是进行S102,若否进行S103;
S102:从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的存储单元,若是进行S104,若否进行S103;
S103:擦除整个FLASH存储器的存储区,设置定义FLASH存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址,初始化结束;
S104:设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址,初始化结束。
2.根据权利要求1所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,所述写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤:
S201:判断写入数据与FLASH存储器内部读出的应用数据是否一致,若是直接结束,不写入FLASH存储器,若否进行S202;
S202:计算写入逻辑地址;
S203:判断写入逻辑地址是否为存储页PAGE的最后一个,若是则擦除下一存储页PAGE的数据,再进行S204;
S204:计算、校验、打包数据,写入FLASH存储器,并将写入逻辑地址作为新的读逻辑地址。
3.根据权利要求2所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,在步骤S202中,计算写入逻辑地址公式为:
写入逻辑地址=(读逻辑地址+1)% 总逻辑地址数。
4.根据权利要求1所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,所述读取数据时提示读取状态的具体过程包括以下步骤:
S301:从当前读逻辑地址读取数据;
S302:判断数据是否存在通过CRC16校验,若是则提示读取成功,若否则提示读取失败。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,在所述写入数据时更新读逻辑地址前先进行初始化FLASH存储器;在所述读取数据时提示读取状态前先进行初始化FLASH存储器。
6.根据权利要求1-4任一项所述的一种FLASH存储器管理方法,其特征是,先进行初始化FLASH存储器,再进行写入数据时更新读逻辑地址,最后进行读取数据时提示读取状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江零跑科技股份有限公司,未经浙江零跑科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911244583.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种交叉带环线分拣系统
- 下一篇:一种自热前导式显示屏的双态防水结构