[发明专利]一种FLASH存储器管理方法

说明书

一种FLASH存储器管理方法，包括以下过程：初始化FLASH存储器；写入数据时更新读逻辑地址；读取数据时提示读取状态。S101：从定义的FLASH存储区逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在STATUS标记为空的存储单元，若是进行S102，若否进行S103；S102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的存储单元，若是进行S104,若否进行S103；S103：擦除整个FLASH存储器的存储区，设置定义FLASH存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束；S104：设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。本发明能够简化应用的复杂程度，实现存储器均衡磨损和随机掉电数据不丢失，同时使用CRC校验，保证数据的完整性和正确性。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其是涉及一种FLASH存储器管理方法。

背景技术

一般高级的单片机系统中，直接使用EMMC、UFS或其他带控制器管理的存储方案，且上层使用文件系统，比如手机、平板等，对于微单片机系统来说，考虑成本及系统复杂度的原因，大多直接采用MCU内部或片外的FLASH作为数据存储器，虽然硬件方案简单，但是如果直接通过固定地址存储对FLASH进行读写不能保证磨损均衡，影响FLASH使用寿命，而且如果系统随机掉电可能会导致数据丢失。若直接使用双页备份，每次写入需要都要擦除一页，对于数据量不大的情况下，存储密度和效率都比较低而且对FLASH寿命影响较大。

发明内容

本发明解决了FLASH存储器在擦除时磨损不均衡和系统随机掉电时数据丢失的问题，提出了一种FLASH存储器管理方法，能够简化应用的复杂程度，实现存储器均衡磨损和随机掉电数据不丢失，同时使用CRC校验，保证数据的完整性和正确性。

为实现上述目的，本发明提供以下的技术方案：

一种FLASH存储器管理方法，包括以下过程：初始化FLASH存储器；写入数据时更新读逻辑地址；读取数据时提示读取状态。

初始化FLASH存储器的作用是找出存有最新有效数据的读逻辑地址，系统随机断电时，FLASH存储器无法调用，同时其读逻辑地址存有最新有效数据不会丢失；写入数据时更新读逻辑地址作用是保护数据，而写入数据时不断的更新读逻辑地址，将新的读逻辑地址内存有新的数据，同时此时系统发生随机断电，新的读逻辑地址已经存到FLASH存储器，数据不会发生丢失；同时在更新读逻辑地址还有判断FLASH存储器的存储页逻辑地址的环节，每次写入需要判断当前逻辑地址是否为存储页最后一条逻辑地址，若是才擦除下一页，比现有技术中每次写入都要擦除一页更加方便，简化了写入数据的过程。写入数据时更新读逻辑地址还有一个作用是，通过不断变更读逻辑地址存储对FLASH进行读写，FLASH存储器内部擦除区域不定，使得FLASH存储器均衡磨损，延长FLASH使用寿命。

作为优选，所述初始化FLASH存储器具体包括以下步骤：

S101：从定义的FLASH存储区逻辑地址0开始，依次向后查找是否存在STATUS标记为空的存储单元，若是进行S102，若否进行S103；

S102：从当前逻辑地址依次向前查找是否存在通过CRC16校验的存储单元，若是进行S104,若否进行S103；

S103：擦除整个FLASH存储器的存储区，设置定义FLASH存储器的存储区最大逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束；

S104：设置当前存储单元逻辑地址为读逻辑地址，初始化结束。

作为优选，所述写入数据时更新读逻辑地址的具体过程包括以下步骤：

S201：判断写入数据与FLASH存储器内部读出的应用数据是否一致，若是直接结束，不写入FLASH存储器，若否进行S202；

S202：计算写入逻辑地址；