[发明专利]一种降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法在审

专利信息
申请号: 201911245616.4 申请日: 2019-12-07
公开(公告)号: CN111020659A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 张友亮;仉喜峰;孙菲菲;李军 申请(专利权)人: 爱科科技有限公司
主分类号: C25D7/00 分类号: C25D7/00;C25D5/14;C25D5/34;H01F41/02
代理公司: 淄博佳和专利代理事务所(普通合伙) 37223 代理人: 张雯
地址: 255000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 钕铁硼 永磁 材料 表面 镀层 孔隙率 方法
【权利要求书】:

1.一种降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:包括如下步骤:

1)将钕铁硼永磁材料进行去灰;

2)将钕铁硼永磁材料在封孔剂中浸泡,使钕铁硼永磁材料空隙内部的氧化物通过水合作用生成水合氧化物,以增大氧化物的体积,从而封闭孔隙,然后进行水洗,其中,封孔剂为醇胺类化合物;

3)依次通过除油剂和酸对水洗后的钕铁硼永磁材料进行清洗;

4)对钕铁硼永磁材料活化,然后再进行电镀。

2.根据权利要求1所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:步骤1)中所述的钕铁硼永磁材料在超声波内水洗90~120s;超声波的频率为800~1200Hz。

3.根据权利要求1所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:步骤2)中所述的封孔剂为三乙醇胺。

4.根据权利要求3所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:将步骤2)中的钕铁硼永磁材料在10~15mL/L的三乙醇胺溶液中浸泡15~20min,三乙醇胺溶液的温度为95~100℃。

5.根据权利要求1所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:对步骤2)中所述的钕铁硼永磁材料通过流动水清洗50~70s,完成所述水洗。

6.根据权利要求1所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:对步骤3)中所述的钕铁硼永磁材料的清洗步骤如下:

a)将钕铁硼永磁材料在温度为50~70℃、浓度为10~25mL/L的除油剂溶液中,超声波浸泡40~60s后,然后利用50~60℃的水清洗40~60s;

b)室温下,将钕铁硼永磁材料放入硝酸和清洗剂的混合液内对钕铁硼永磁材料进行酸洗,酸洗时间为70~90s,其中,混合液中硝酸的浓度为30~40mL/L,清洗剂的浓度为15~25mL/L;

c)对酸洗后的钕铁硼永磁材料水洗40~60s,然后在超声波水洗50~70s。

7.根据权利要求6所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:步骤a)中所述的除油剂为CY-1除油剂,步骤b)中所述的清洗剂为SDC清洗剂。

8.根据权利要求1所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:将骤4)中所述的钕铁硼永磁材料在室温下放入12~16mL/L的氢氟酸中浸泡25~35s,完成所述活化。

9.根据权利要求1所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:步骤4)中所述的电镀为电镀镍铜镍镀层。

10.根据权利要求1或9所述的降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法,其特征在于:电镀包括如下步骤:

a)镀底镍,电镀液中硫酸镍的浓度为230~280g/L,硼酸的浓度为40~50g/L,添加剂Y-19的浓度为3~5mL/L,添加剂A-10的浓度为1~3mL/L,电镀液的pH为4.0~5.0,温度为45~55℃,阴极电流密度为0.1~0.5A/dm2,滚筒转速为6~10r/min,电镀时间为60~90min;

b)焦磷酸盐镀铜,电镀液中焦磷酸钾的浓度为270~320g/L,焦磷酸铜50~70g/L,开缸剂的浓度为3~5mL/L,主光剂的浓度为0.1-0.5mL/L,电镀液的pH为7.5~9.2,温度为45~55℃,阴极电流密度为0.1~0.5 A/dm2,滚筒转速为6~10r/min,电镀时间为60~90min;

c)镀表层镍,电镀液中硫酸镍的浓度为250~280g/L,硼酸的浓度为40~50g/L,添加剂NPA润湿剂的浓度为3~6mL/L,W100主光剂的浓度为0.5~1.0mL/L,辅助剂1~2 mL/L,电镀液pH为4.0~5.0,温度为45~55℃,阴极电流密度为0.1~0.5 A/dm2,滚筒转速为6~10r/min,电镀时间为60~90min。

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