[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

测试元件；

测试图案结构；和

保护元件，其以可操作方式定位在所述测试图案结构与所述测试元件之间，用于保护所述测试元件免受等离子体诱导损伤。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述测试元件是测试晶体管并且被形成在衬底之上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述测试图案结构被形成为与所述测试晶体管间隔开。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述保护元件是保护晶体管，所述保护晶体管包括：

栅电极，其形成在所述衬底之上；

栅极电介质层，其形成在所述衬底与所述栅电极之间；以及

第一杂质区域和第二杂质区域，二者形成在所述栅电极两侧的衬底中；

所述第一杂质区域被耦接到所述测试图案结构，并且所述第二杂质区被耦接到所述测试晶体管的栅电极，

其中，所述保护晶体管的栅电极比所述测试晶体管的栅电极短。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述保护晶体管的所述第一杂质区域将在所述测试图案结构中引起的等离子体诱导损伤释放到所述衬底。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

导电接触，其分别连接到所述第二杂质区域和所述测试晶体管的栅电极；和

导线，其适用于将所述导电接触彼此耦接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述测试图案结构包括至少一个通孔接触和至少一个金属线。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护元件包括NMOSFET。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护元件包括PMOSFET。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护元件包括传输门，所述传输门设置有NMOSFET和PMOSFET。

11.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述衬底包括：其中形成有所述测试晶体管的器件区域以及其中形成有所述保护晶体管的测试区域。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括隔离层，所述隔离层形成在所述衬底中并且将所述器件区域和所述测试区域彼此隔离。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述器件区域包括形成在所述衬底中的测试晶体管主体，并且所述测试区域包括形成在所述衬底中的保护晶体管主体，以及

所述测试晶体管主体和所述保护晶体管主体中的每一个均包括导电阱。

14.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述测试图案包括通孔接触，所述通孔接触垂直延伸穿过层间绝缘层以接触所述保护晶体管的所述第一杂质区域，

其中，所述测试图案包括形成在所述层间绝缘层之上的金属线，并且与所述通孔接触相接触。

15.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述测试图案结构包括经由多个通孔接触和多个金属线形成的导电路径。

16.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底的第一区域之上形成测试晶体管；

形成与所述测试晶体管耦接的保护晶体管，并且所述保护晶体管形成在所述衬底的第二区域之上；以及

形成与所述保护晶体管耦接的测试图案结构，并且所述测试图案结构形成在所述保护晶体管之上，

其中，由所述测试图案结构引起的等离子体诱导损伤通过所述保护晶体管被释放到所述衬底。