[发明专利]一种料盘脱胶摆盘工艺

说明书

本发明涉及晶片脱胶技术领域，具体涉及料盘脱胶摆盘工艺，包括如下步骤：步骤1，将料盘放置到料槽进行一次浸泡脱胶；步骤2，完成一次浸泡后放置到另一料槽进行二次浸泡脱胶；步骤3，将料盘取料进行干燥；步骤4，完成干燥后将料盘抓取翻转放置在吸附平台；步骤5，吸附平台通过真空负压将料盘上的晶片吸附；步骤6，将吸附平台上晶片抓取摆放到治具，完成脱胶摆盘；本发明采用了双重浸泡结构，使得硅晶片上的胶脱落更彻底，在经过干燥后通过真空吸附即可完成晶片的分离，能够大大提升生产效率；同时本发明还采用了自动取料摆盘工艺，节省了人力成本。

技术领域

本发明涉及晶片脱胶技术领域，特别是涉及料盘脱胶摆盘工艺。

背景技术

硅晶片是由硅棒用胶体黏在晶托上后切割而成的，切割好后的硅晶片需要进行脱胶处理，常规的脱胶工艺存在脱胶不完善，有残胶导致硅晶片报废，或者脱胶的时候，第一片硅晶片脱离开始至最后一片硅晶片脱落的时间过长，在脱胶过程中又不能将先脱好的取出，这样就会导致先脱落硅晶片发生氧化反应，从而使得先脱落的硅晶片报废。

现有技术中，在针对硅晶片脱胶中采用了料槽浸泡方式，如中国专利公开号为CN105855213A，公开了一种同一晶托上的胶体一起脱落的硅晶片脱胶工艺，其优点是乳酸的软化胶体就能保证所有硅晶片上的胶体一起脱落，从而避免在脱胶的过程中部分硅晶片氧化。但在其在生产过程中无法实现自动脱胶摆盘，过程中耗时耗力，生产效率低，工作难度高。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种采用了双重浸泡结构，使得硅晶片上的胶脱落更彻底，在经过干燥后通过真空吸附即可完成晶片的分离，能够大大提升生产效率；同时本发明还采用了自动取料摆盘工艺，节省了人力成本的料盘脱胶摆盘工艺。

本发明所采用的技术方案是：一种料盘脱胶摆盘工艺，包括如下步骤：

步骤1，将料盘放置到料槽进行一次浸泡脱胶；

步骤2，完成一次浸泡后放置到另一料槽进行二次浸泡脱胶；

步骤3，将料盘取料进行干燥；

步骤4，完成干燥后将料盘抓取翻转放置在吸附平台；

步骤5，吸附平台通过真空负压将料盘上的晶片吸附；

步骤6，将吸附平台上晶片抓取摆放到治具，完成脱胶摆盘。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤1中，料盘通过自动取料放置到料槽进行一次浸泡，一次浸泡的料槽有若干组可将多个料盘同时浸泡。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤1中，料槽内填充丙酮对料盘进行浸泡，浸泡时间为35～40分钟，丙酮水温为20～50℃。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤2中，通过机械手将步骤1中浸泡好的料盘抓取放置到第二次浸泡的料槽内。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤2中，填充NMP液体对料盘进行浸泡，浸泡时间为5～15分钟，NMP液体温度为20～50℃。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤3中，将料盘取料后通过热风进行干燥，干燥时间为10～80秒。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤4中，通过机械手将料盘抓取翻转180°后放置到吸附平台。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤5中，放置平台上设置若干用于定位晶片的定位槽，真空吸孔开设在定位槽上将晶片吸附分离。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤6中，通过机械手将晶片抓紧后经过检测校正后放置到治具上。

对上述方案的进一步改进为，所述步骤6中，所述治具开设有用于放置晶片的放置槽。

本发明的有益效果是：