[发明专利]高PSRR的低压差线性稳压器有效
申请号: | 201911254498.3 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN110825153B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 张铮栋;王永攀 | 申请(专利权)人: | 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 周仁青 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | psrr 低压 线性 稳压器 | ||
1.一种高PSRR的低压差线性稳压器,其特征在于,所述低压差线性稳压器包括误差放大器EA、MOS管M1和M2、分压电阻Rf1和Rf2、及补偿电路,补偿电路位于误差放大器EA输出端与低压差线性稳压器输出端VOUT之间,其中,MOS管M1为高压PMOS管,MOS管M2为低压PMOS管,MOS管M1和MOS管M2串联于低压差线性稳压器输入端VIN和输出端VOUT之间,且MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极相连,所述MOS管M2的源极与低压差线性稳压器输入端VIN相连,栅极与误差放大器EA输出端相连,MOS管M1的漏极与低压差线性稳压器输出端VOUT相连,栅极通过驱动电压PISO驱动。
2.根据权利要求1所述的高PSRR的低压差线性稳压器,其特征在于,所述低压差线性稳压器包括与MOS管M1的栅极相连的驱动电路,所述驱动电路用于为MOS管M1提供驱动电压PISO。
3.根据权利要求2所述的高PSRR的低压差线性稳压器,其特征在于,所述驱动电路包括若干MOS管、电阻及二极管。
4.根据权利要求2所述的高PSRR的低压差线性稳压器,其特征在于,所述驱动电路包括:
串联于低压差线性稳压器输入端VIN和地电位之间的MOS管M4和电阻R4;
串联于低压差线性稳压器输入端VIN和地电位之间的电阻R2、电阻R3、MOS管M5及二极管D1;
其中,MOS管M4和M5为PMOS管,MOS管M4的漏极和MOS管M5的栅极分别与MOS管M1的栅极相连;
电阻R4的第一端与地电位相连,电阻R2的第一端与低压差线性稳压器输入端VIN相连,电阻R3的第一端与电阻R2的第二端相连,二极管D1的正极与地电位相连;
MOS管M4的源极与低压差线性稳压器输入端VIN相连,漏极与电阻R4的第二端及MOS管M1的栅极相连,栅极连接于电阻R2的第二端和R3的第一端之间;
MOS管M5的源极与电阻R3的第二端相连,漏极与二极管D1的负极相连,栅极与MOS管M4的漏极及MOS管M1的栅极相连。
5.根据权利要求1所述的高PSRR的低压差线性稳压器,其特征在于,所述低压差线性稳压器包括与MOS管M1的栅极相连的交流耦合电路,所述交流耦合电路用于当VIN处于快速上升沿时,上拉电压以关闭MOS管M1。
6.根据权利要求5所述的高PSRR的低压差线性稳压器,其特征在于,所述交流耦合电路包括电容C1、电阻R1及MOS管M3,其中,MOS管M3为PMOS管。
7.根据权利要求6所述的高PSRR的低压差线性稳压器,其特征在于,所述交流耦合电路中:
电阻R1和电容C1串联于低压差线性稳压器输入端VIN和地电位之间;
MOS管M3的栅极连接于电阻R1和电容C1之间,源极与低压差线性稳压器输入端VIN相连,漏极与MOS管M1的栅极相连。
8.根据权利要求1所述的高PSRR的低压差线性稳压器,其特征在于,所述低压差线性稳压器输出端VOUT和地电位之间设有电容COUT。
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