[发明专利]金属化叠层及其制造方法及包括金属化叠层的电子设备有效
申请号: | 201911254611.8 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN110970379B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 朱慧珑 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/768;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属化 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
1.一种金属化叠层,包括在衬底上交替设置的至少一个互连线层和至少一个过孔层,其中所述金属化叠层中至少一对相邻的互连线层和过孔层包括:
所述互连线层中的互连线,具有彼此相对且沿着所述互连线的纵向延伸方向延伸的第一侧壁和第二侧壁以及彼此相对且沿着与所述纵向延伸方向相交的另一方向延伸的第三侧壁和第四侧壁;以及
所述过孔层中的过孔,具有彼此相对且沿着所述纵向延伸方向延伸的第一侧壁和第二侧壁以及彼此相对且沿着所述另一方向延伸的第三侧壁和第四侧壁,
其中,所述互连线层比所述过孔层更靠近衬底,
其中,所述互连线的至少一部分上的过孔的第一侧壁和第二侧壁的至少下部与所述互连线的所述至少一部分的相应的第一侧壁和第二侧壁共面,所述过孔的第三侧壁和第四侧壁相对于所述互连线的所述至少一部分的相应的第三侧壁和第四侧壁缩进,
其中,在所述互连线层中的互连线之间填充有第一电介质层,所述第一电介质层进一步延伸到所述过孔层中的过孔之间,且在所述过孔层中的过孔之间未被所述第一电介质层填充的区域中填充有第二电介质层,所述第二电介质层与所述第一电介质层的延伸部分之间的部分界面与互连线层中相应互连线的侧壁自对准。
2.根据权利要求1所述的金属化叠层,其中,所述互连线和所述过孔包括金属,且与周围的第一电介质层或第二电介质层直接接触。
3.根据权利要求2所述的金属化叠层,其中,所述金属包括钌Ru、钼Mo、铑Rh、铂Pt、铱Ir、镍Ni、钴Co或铬Cr。
4.根据权利要求1所述的金属化叠层,其中,所述互连线和所述过孔包括彼此不同的材料。
5.根据权利要求1所述的金属化叠层,还包括:设于所述互连线和所述过孔之间的间隔层。
6.根据权利要求5所述的金属化叠层,其中,所述互连线和所述过孔包括彼此相同的材料。
7.根据权利要求5所述的金属化叠层,其中,所述间隔层在所述互连线与所述过孔之间延伸,而没有延伸到所述过孔的侧壁上。
8.根据权利要求5所述的金属化叠层,其中,所述间隔层用作扩散阻挡层和/或刻蚀停止层。
9.根据权利要求8所述的金属化叠层,其中,所述间隔层包括导电的金属硅化物、导电的金属氮化物或金属。
10.根据权利要求1所述的金属化叠层,其中,所述第一电介质层和/或所述第二电介质层中在所述互连线之间和/或所述过孔之间包括孔洞或气隙。
11.根据权利要求1所述的金属化叠层,其中,所述互连线层中的各条互连线沿同一方向延伸。
12.根据权利要求11所述的金属化叠层,其中,至少一对上下相邻的互连线层中的互连线沿彼此正交的方向延伸。
13.根据权利要求1或12所述的金属化叠层,其中,所述过孔的宽度大于该过孔上的互连线的宽度。
14.根据权利要求13所述的金属化叠层,其中,所述过孔的上部与该过孔上的互连线的宽度相同,而所述过孔的下部的宽度大于该过孔上的互连线的宽度。
15.根据权利要求1所述的金属化叠层,其中,在与所述互连线的纵向延伸方向垂直的截面中,所述过孔和所述互连线呈从下往上渐缩的形状。
16.根据权利要求1所述的金属化叠层,其中,过孔之间的最小间隔由光刻工艺能够实现的最小线间隔限定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911254611.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。