[发明专利]JFET器件的制造方法、JFET器件及其版图结构

权利要求书

1.一种JFET器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的第一预定区域和第二预定区域进行离子注入，形成深N型阱，所述深N型阱在所述第二预定区域形成有至少两个子阱，所述子阱呈横向方向的梯度浓度；

在所述第二预定区域形成场氧层；

在所述深N型阱内，所述子阱的一侧形成P型阱；

在第三预定区域和第四预定区域进行P型离子注入，分别形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区位于所述深N型阱的外部，所述第二P型重掺杂区位于所述P型阱内；

在第五预定区域、第六预定区域和第七预定区域进行N型离子注入，分别形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区，所述第一N型重掺杂区位于所述深N型阱内且位于所述第一P型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区之间，所述第二N型重掺杂区位于所述P型阱内且位于所述场氧层和所述第二P型重掺杂区之间，所述第三N型重掺杂区位于所述深N型阱内且位于所述子阱的另一侧；

所述第一N型重掺杂区为所述JFET器件的源极，所述第二P型重掺杂区和所述P型阱为所述JFET器件的第一栅极，所述第一P型重掺杂区和所述衬底为所述JFET器件的第二栅极，所述第三N型重掺杂区为所述JFET器件的漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一预定区域和第二预定区域进行离子注入，形成深N型阱，包括：

在除所述第一预定区域和所述第二预定区域的其它区域覆盖光阻，在所述第二预定区域的至少一个预定子区域覆盖光阻；

对所述第一预定区域和所述第二预定区域进行离子注入，形成位于所述第一预定区域的第一子掺杂区以及位于所述第二预定区域的至少两个第二子掺杂区；

去除所述光阻；

通过高温推阱工艺对所述第一子掺杂区和所述第二子掺杂区进行热处理，形成所述深N型阱。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二预定区域的至少一个预定子区域覆盖光阻，包括：

在所述第二预定区域的多个预定子区域覆盖光阻，每个所述预定子区域之间的间距的取值范围为2微米至10微米。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述子阱的宽度的取值范围为2微米至10微米。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述热处理温度大于1000摄氏度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述热处理的时间大于100分钟。

7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述在第五预定区域、第六预定区域和第七预定区域进行N型离子注入，分别形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区之后，还包括：

在所述场氧层上分别形成第一多晶硅场板和第二多晶硅场板，所述第一多晶硅场板与所述第二N型重掺杂区连接；

在所述衬底和所述场氧层上沉积介质层；

分别在所述第一P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区、第一多晶硅场板、所述第二多晶硅场板以及所述第三N型重掺杂区上方的介质层形成通孔；

在每个所述通孔上形成引线。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区上方的通孔通过同一引线实现电连接；

所述第二多晶硅场板与所述第三N型重掺杂区上方的通孔通过同一引线实现电连接。