[发明专利]非易失性存储器装置及其编程方法

说明书

公开一种非易失性存储器装置及其编程方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别连接到多条位线的多个存储器单元；以及控制逻辑单元，被配置为控制关于所述多个存储器单元的编程操作。控制逻辑单元被配置为：在编程操作期间，通过使用正常编程验证条件来执行关于所述多个存储器单元的正常编程验证操作，以及基于在编程操作期间接收的挂起命令，通过使用与正常编程验证条件不同的初始编程验证条件来执行关于所述多个存储器单元的初始编程验证操作。

本申请要求于2019年4月30日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0050453号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开通过引用整体包含于此。

技术领域

本发明构思涉及存储器装置，更具体地讲，涉及在编程操作期间在其中执行挂起-恢复操作(suspend-resume operation)的非易失性存储器装置，以及非易失性存储器装置的编程方法。

背景技术

存储器装置用于存储数据，并且被划分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。当在非易失性存储器装置的编程操作期间需要执行读取操作时，存储器控制器可挂起当前正在执行的编程操作，执行读取操作，然后可恢复挂起的编程操作。挂起与恢复之间的时间间隔会导致编程阈值电压分布和/或存储器装置的可靠性的劣化。

发明内容

本发明构思提供一种能够防止在编程挂起-恢复操作期间的编程阈值电压分布的劣化的非易失性存储器装置，以及对所述非易失性存储器装置进行编程的方法。

根据本发明构思的一个方面，提供一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括分别连接到多条位线的多个存储器单元；以及控制逻辑单元，被配置为控制关于所述多个存储器单元的编程操作。控制逻辑单元被配置为：在编程操作期间，通过使用正常编程验证条件来执行关于所述多个存储器单元的正常编程验证操作，并且基于在编程操作期间接收的挂起命令，通过使用与正常编程验证条件不同的初始编程验证条件来执行关于所述多个存储器单元的初始编程验证操作。

根据本发明构思的另一方面，提供一种对非易失性存储器装置进行编程的方法，所述方法包括：响应于编程命令，将第一编程电压施加到多个存储器单元所连接到的选择的字线；响应于挂起命令或者在挂起命令之后接收的恢复命令，通过在初始发展时间期间发展多个感测节点的电压电平来执行初始编程验证操作，所述多个感测节点分别连接到多条位线，所述多条位线分别连接到所述多个存储器单元；响应于恢复命令，将第二编程电压施加到选择的字线；以及通过在与初始发展时间不同的正常发展时间期间发展所述多个感测节点的电压电平来执行正常编程验证操作。

根据本发明构思的另一方面，提供一种对非易失性存储器装置进行编程的方法，所述方法包括：响应于编程命令，将第一编程电压施加到存储器单元所连接到的选择的字线；响应于挂起命令或在挂起命令之后接收的恢复命令，通过将初始编程验证电压施加到选择的字线来执行初始编程验证操作；响应于恢复命令，将第二编程电压施加到选择的字线；以及通过将与初始编程验证电压不同的正常编程验证电压施加到选择的字线来执行正常编程验证操作。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的示例性实施例，其中：

图1是根据本发明构思的一些实施例的存储器系统的框图；

图2是根据本发明构思的一些实施例的图1的非易失性存储器装置(NVM)的框图；

图3是根据本发明构思的一些实施例的存储器块的电路图；

图4示出根据本发明构思的一些实施例的包括多个编程循环的编程操作；

图5是根据本发明构思的一些实施例的存储器控制器与NVM之间的操作的流程图；

图6示出根据本发明构思的一些实施例的在编程操作期间的挂起-恢复操作；