[发明专利]Topcon结构电池及其制备方法

权利要求书

1.一种Topcon结构电池，包括位于硅片背面的遂穿层、位于所述遂穿层背面的掺杂多晶硅层、位于所述掺杂多晶硅层背面的背面减反射层、位于所述背面减反射层背面的背面电极；其特征在于，所述Topcon结构电池还包括位于所述掺杂多晶硅层与所述背面减反射层之间的浆料阻挡层和背面透明导电膜，所述背面透明导电膜位于所述浆料阻挡层与所述掺杂多晶硅层之间，或所述背面透明导电膜位于所述浆料阻挡层与所述背面减反射层之间，所述浆料阻挡层为Al₂O₃层、或TiO₂层、或ZrO₂层、或HfO₂层、或Ta₂O₅层、或Nb₂O₅层、或Sc₂O₃层、或Y₂O₃层、或MgO层、或B₂O₃层、或SiO₂层、或GeO₂层、或La₂O₃层、或CeO₂层、或PrO_x层、或Nd₂O₃层、或Sm₂O₃层、或EuO_x层、或Gd₂O₃层、或Dy₂O₃层、或Ho₂O₃层、或Er₂O₃层、或Tm₂O₃层、或Yb₂O₃层、或Lu₂O₃层、或SrTiO₃层、或BaTiO₃层、或PbTiO₃层、或PbZrO₃层、或Bi_xTi_yO层、或Bi_xSi_yO层、或SrTa₂O₆层、或SrBi₂Ta₂O₉层、或YScO₃层、或LaAlO₃层、或NdAlO₃层、或GdScO₃层、或LaScO₃、或LaLuO₃层、或Er₃Ga₅O₁₃层中的至少一种或多种，所述掺杂多晶硅层的厚度小于200nm。

2.根据权利要求1所述的Topcon结构电池，其特征在于，所述浆料阻挡层的厚度介于0.1nm~100nm之间。

3.根据权利要求1所述的Topcon结构电池，其特征在于，所述背面透明导电膜为掺杂氧化锌薄膜或纳米银薄膜或氧化铟锡或掺钨氧化铟或掺铯氧化铟或掺钼氧化铟或掺氟氧化锡。

4.根据权利要求1所述的Topcon结构电池，其特征在于，所述背面透明导电膜的厚度介于50nm~150nm之间。

5.根据权利要求1~4任意一项所述的Topcon结构电池，其特征在于，所述Topcon结构电池还包括位于硅片正面的PN节、位于所述PN节正面的钝化层、位于所述钝化层正面的正面透明导电膜、位于所述正面透明导电膜正面的正面减反射层、位于正面减反射层正面的正面电极。