[发明专利]Topcon结构电池及其制备方法

说明书

本发明提供一种Topcon结构太阳能电池及其制备方法，Topcon结构太阳能电池包括位于硅片背面的遂穿层、位于所述遂穿层背面的掺杂多晶硅层、位于所述掺杂多晶硅层背面的背面减反射层、位于所述背面减反射层背面的背面电极；所述Topcon结构电池还包括位于所述掺杂多晶硅层与所述背面减反射层之间的浆料阻挡层和背面透明导电膜，所述背面透明导电膜位于所述浆料阻挡层与所述掺杂多晶硅层之间，或所述背面透明导电膜位于所述浆料阻挡层与所述背面减反射层之间。本发明的Topcon结构电池及其制备方法，通过设置所述浆料阻挡层与所述背面透明导电膜，可以避免电极浆料烧结穿透掺杂多晶硅层、隧穿层，不但有效改善电池结构，还能降低掺杂多晶硅层厚度，改善电池效率，提高生产良率；同时通过所述背面透明导电膜提高电流收集作用。

技术领域

本发明涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种Topcon结构电池及其制备方法。

背景技术

TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact）技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的非晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。Topcon结构电池，可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流，且无需背面开孔和对准，无效额外增加具备掺杂工艺，极大地简化了电池生产工艺，提高能量产出，具有进一步提升转换效率的空间。

Topcon结构电池作为新型高效钝化接触技术，通常经过如下工序即可完成完整电池制作，主要工序及步骤如下：1、制绒清洗；2、硼扩散；3、隧穿层及多晶硅薄膜制作；4、n+层制作；5、减反射膜及钝化层制作；6、金属化。

现有Topcon电池结构的核心部分隧穿层及多晶硅层的制作是整个电池高效的关键，但是由于现有背面浆料搭配问题，目前topcon电池的背面多晶硅层厚度通常要做到100nm以上，甚至200nm,由于多晶硅层对光的吸收率非常高，这对于topcon电池的效率具有较大影响，如果将这层多晶硅膜做薄，现有的浆料将轻易烧穿多晶硅层及隧穿层，破坏电池结构。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Topcon结构太阳能电池及其制备方法。